EUV光刻市場(chǎng)高速增長(zhǎng)，復(fù)合年增長(zhǎng)率21.8%

EUV掩膜，也稱(chēng)為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增...

2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件光刻技術(shù)EUV 966 0

中國(guó)的先進(jìn)封裝技術(shù)取得突破

由于無(wú)法獲得尖端光學(xué)光刻技術(shù)，中國(guó)芯片的制造工程目前限制在14納米，為了獲得更小的芯片、更強(qiáng)的性能，突破尖端包裝技術(shù)更為重要。此前，toff micro...

2023-06-01 標(biāo)簽：芯片封裝光刻技術(shù) 3389 0

光刻技術(shù)再次升級(jí)了

中國(guó)在半導(dǎo)體芯片制造方面仍落后于美國(guó)。早在上世紀(jì)60年代，美國(guó)就開(kāi)始占據(jù)世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的絕對(duì)主導(dǎo)地位。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體芯片的制造越來(lái)越精細(xì)化。...

2023-06-01 標(biāo)簽：納米技術(shù)光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1069 0

NVIDIA H100 GPU為2nm芯片加速計(jì)算光刻！

現(xiàn)代工藝技術(shù)將晶圓廠設(shè)備要求推向極限，需要實(shí)現(xiàn)突破其物理極限的高分辨率，這正是計(jì)算光刻技術(shù)發(fā)揮作用的地方。計(jì)算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù)，它結(jié)合...

2023-04-26 標(biāo)簽：芯片NVIDIA光刻技術(shù) 1642 0

淺談光刻技術(shù)

在整個(gè)芯片制造過(guò)程中，幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開(kāi)光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù)，占芯片制造成本的35%以上。

2023-04-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 1868 0

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)在近場(chǎng)光學(xué)鄰近效應(yīng)研究中獲得進(jìn)展

為滿(mǎn)足集成電路中對(duì)納米結(jié)構(gòu)器件的尺寸及質(zhì)量的高性能要求，有效地解決表面等離子體光刻技術(shù)中存在的near-field OPE問(wèn)題，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)...

2023-04-18 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)結(jié)構(gòu)器件 1099 0

AI輔助制芯技術(shù)，將計(jì)算光刻提速40倍

黃仁勛稱(chēng)，英偉達(dá)經(jīng)過(guò)與臺(tái)積電、ASML、Synopsys（新思科技）三大半導(dǎo)體巨頭的多年合作，終于推出了這一技術(shù)，大大降低芯片代工廠在這一工序上所消耗的...

2023-03-24 標(biāo)簽：AI光刻技術(shù)英偉達(dá) 2284 0

納米壓印光刻，能讓國(guó)產(chǎn)繞過(guò)ASML嗎？

日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù)，并試圖靠它再次逆襲，日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱(chēng)，對(duì)比EUV光刻工藝，使用納米壓印光刻工藝制造芯片，能夠降低將近四成制造成本和九成電量，...

2023-03-22 標(biāo)簽：芯片光刻技術(shù)ASML 3325 0

下一代EUV***，關(guān)鍵技術(shù)拆解！

但imec先進(jìn)成像、工藝和材料高級(jí)副總裁斯蒂芬·希爾（Steven Scheer）在接受采訪時(shí)非常理性地指出，要經(jīng)濟(jì)高效地引入High NA EUV光刻...

2023-03-17 標(biāo)簽：光刻機(jī)光刻技術(shù)EUV 1773 0

超精細(xì)石墨烯圖案的雙光束超快激光直寫(xiě)制作技術(shù)

最近，基于超分辨率熒光顯微技術(shù)這一諾貝爾獎(jiǎng)級(jí)成果，科學(xué)家報(bào)道了一種應(yīng)用于光刻膠的雙光束激光光刻技術(shù)。這里使用一道甜甜圈形狀的環(huán)形光束，來(lái)抑制寫(xiě)入光束所觸...

2023-02-15 標(biāo)簽：激光石墨烯光刻技術(shù) 1887 0

一種通過(guò)軟光刻技術(shù)制造剛性微流控器件的詳細(xì)方案

軟光刻技術(shù)可通過(guò)在可變形彈性體（例如聚二甲基硅氧烷（PDMS））上使用光刻圖形化模具，實(shí)現(xiàn)具有精確特征的微流控器件快速成型（rapid prototyp...

2023-02-14 標(biāo)簽：壓力傳感器光刻技術(shù)PDMS薄膜 3624 0

EUV光刻的兩大挑戰(zhàn)者，誰(shuí)扛大旗？

過(guò)去二十年見(jiàn)證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開(kāi)發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 1...

2023-02-02 標(biāo)簽：摩爾定律光刻技術(shù)EUV 3504 0

數(shù)十年的光刻技術(shù)，High-NA EUV或成為終點(diǎn)？

盡管EUV的生產(chǎn)力還沒(méi)有達(dá)到客戶(hù)的預(yù)期，但幾年來(lái)，EUV 已經(jīng)成為世界上最先進(jìn)芯片的生產(chǎn)過(guò)程中不可或缺的一部分。

2022-09-28 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUV 999 0

光刻技術(shù)的原理及其難點(diǎn)分別是什么

光刻就是把芯片制作所需要的線(xiàn)路與功能區(qū)做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光。

2022-09-13 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)EUV 7148 0

一種3D打印新工藝——3D打印高性能的碳微晶格電池電極

當(dāng)人們意識(shí)到汽油動(dòng)力機(jī)器和車(chē)輛對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響時(shí)，似乎只要改用電池就可以解決這些問(wèn)題了。從那時(shí)起，似乎沒(méi)有人質(zhì)疑這種新的、所謂完全環(huán)保的選擇。然而，沒(méi)過(guò)...

2022-08-23 標(biāo)簽：電極光刻技術(shù)3D打印機(jī) 1153 0

ASML下一代EUV光刻機(jī)High-NA來(lái)了！

對(duì)于3nm后的節(jié)點(diǎn)，ASML及其合作伙伴正在研究一種全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列，具有0.55 NA(High-NA)透鏡...

2022-08-17 標(biāo)簽：分辨率光刻技術(shù)ASML 2662 0

光刻的基礎(chǔ)內(nèi)容

負(fù)性光刻膠。樹(shù)脂是聚異戊二烯，一種天然的橡膠；溶劑是二甲苯；感光劑是一種經(jīng)過(guò)曝光后釋放出氮?dú)獾墓饷魟a(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)。從而變得不溶于顯...

2022-06-22 標(biāo)簽：光刻技術(shù)光刻膠 1916 0