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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1830個 瀏覽：92677次 帖子：50個

      功率器件技術(shù)

      T型三電平雙脈沖測試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

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      雙脈沖測試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號，以模擬實際工作中的開關(guān)動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測試需求。

      2024-03-11 標(biāo)簽：測試系統(tǒng)IGBT功率器件 4296 0

      雙脈沖測試（DPT）的方法解析

      雙脈沖測試（DPT）的方法解析

      雙脈沖測試是電力變壓器和互感器的一種常見測試方法，其主要目的是評估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性，確保其符合設(shè)計要求和運行標(biāo)準(zhǔn)。

      2024-03-11 標(biāo)簽：電力變壓器IGBT功率器件 4590 0

      解析電動車控制器損壞的常見原因

      控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加，一般消耗電流在30～40mA，或者是MOS管工作有問題；電動機(jī)無力可能是控制器檢測過流的康銅絲焊接不良，導(dǎo)致...

      2024-03-11 標(biāo)簽：單片機(jī)控制器MOS管 3877 0

      碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)

      碳化硅（SiC）功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)

      SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的...

      2024-03-08 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2285 0

      一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

      一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

      和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

      2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET功率器件互連技術(shù) 1972 0

      IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用

      IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用

      根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示，芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座，再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去（以對流和輻射的形式），而大部分熱量通過...

      2024-03-06 標(biāo)簽：散熱器散熱片IGBT 1543 0

      百億美元的BLDC電機(jī)市場，其驅(qū)動電路可使用170N1F4A場效應(yīng)管代換！

      百億美元的BLDC電機(jī)市場，其驅(qū)動電路可使用170N1F4A場效應(yīng)管代換！

      依據(jù)數(shù)據(jù)分析，在2022年BLDC的市場規(guī)模是189億美元，預(yù)計2025年的市場規(guī)?？蛇_(dá)223億美元。

      2024-03-05 標(biāo)簽：場效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動BLDC 1285 0

      SiC功率器件先進(jìn)互連工藝研究

      SiC功率器件先進(jìn)互連工藝研究

      共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，...

      2024-03-05 標(biāo)簽：功率器件SiCAMB 916 0

      半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破？

      半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破？

      基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中，但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...

      2024-03-01 標(biāo)簽：電動汽車MOSFET逆變器 608 0

      碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...

      2024-02-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2081 0

      淺析碳化硅功率器件：原理、應(yīng)用與未來發(fā)展前景

      淺析碳化硅功率器件：原理、應(yīng)用與未來發(fā)展前景

      隨著能源效率和環(huán)保要求的日益提高，電力電子系統(tǒng)正在向著更高效、更緊湊的方向發(fā)展。

      2024-02-28 標(biāo)簽：晶體管硅二極管功率器件 1445 0

      繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

      繼電器光耦的工作原理與應(yīng)用探討

      繼電器光耦主要由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發(fā)光二極管作為輸入端，當(dāng)輸入電流通過時，會發(fā)出特定波長的光。

      2024-02-27 標(biāo)簽：繼電器發(fā)光二極管光耦 872 0

      MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

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      當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

      2024-02-25 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 5989 0

      碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢

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      隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...

      2024-02-25 標(biāo)簽：晶體管功率器件碳化硅 1462 0

      外延層在半導(dǎo)體器件中的重要性

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      只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長技外延生長。那外延技術(shù)到底對材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？

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      碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用

      隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...

      2024-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1146 0

      簡單認(rèn)識碳化硅功率器件

      隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有...

      2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1594 0

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      梯形圖由多個梯級組成，每個線圈可構(gòu)成一個梯級，每個梯級有多條支路，每個梯級代表一個邏輯方程；

      2024-02-20 標(biāo)簽：繼電器plc存儲器 874 0

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      圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,

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      SiC功率元器件特征有哪些

      碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（Si...

      2024-02-04 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1094 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實例等。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機(jī)一樣。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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