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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,上世紀90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應用,這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導體研究的熱點,被譽為第三代半導體,其具有更...
碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
碳化硅二極管的優(yōu)勢 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 寬禁帶材料可提高器件的工作溫度,6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...
硅早已是大多數(shù)電子應用中的關鍵半導體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應用采納,特別是電動汽車,以應對開發(fā)高效率和高功率器件所...
從晶體到系統(tǒng)之路:關于碳化硅的關鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術發(fā)展相關性不是特別大,所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應用展望
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優(yōu)點,可以實現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應用的新型功率半導體器件。該文對碳化硅功率...
2023-01-31 標簽:半導體電力系統(tǒng)功率器件 3300 0
基于英飛凌PRO-SILTM器件汽車配電系統(tǒng)設計方案
在低SAE自動駕駛級別(例如,1-2級)下,通常,僅需確保系統(tǒng)在組件失效的情況下,進入安全狀態(tài)即可——這被稱為失效安全架構(gòu)。
2023-01-15 標簽:繼電器網(wǎng)絡安全功率器件 1169 0
國內(nèi)SiC半導體產(chǎn)業(yè)化進展 sic半導體技術發(fā)展趨勢
碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個部分,分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一...
在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評估、功率模塊開發(fā)和特性評估、電源設計器件選型、電源調(diào)試以及學術研究時,都需要對其驅(qū)動波形進行測試,這時大多數(shù)工程...
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強,將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
在過去幾年中,半導體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關,并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...
硅功率器件已經(jīng)達到了它們的材料極限,已經(jīng)達到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業(yè)提供快速開關、高效的器件性能。然而,它們距離充分發(fā)揮...
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