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        標簽　>　功率器件

        功率器件

        功率器件

        +關(guān)注42人關(guān)注

        功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎(chǔ)。

        文章：1830個 瀏覽：92680次 帖子：50個

        功率器件技術(shù)

        不常見的半導體功率器件有哪些

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        2022-07-14 標簽：二極管晶閘管功率器件 1520 0

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        2022-06-23 標簽：電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.2萬 0

        溫度對CoolSiC? MOSFET的影響

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        高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大？

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        2022-04-27 標簽：功率器件半導體器件 9192 0

        氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應用

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        本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應用。下面結(jié)合半導體的物理特性，對氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點加以說明。

        2022-04-24 標簽：雷達功率器件收發(fā)系統(tǒng) 5916 0

        功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

        我們都知道功率半導體器件屬于電力電子開關(guān)，開關(guān)速度非常快，1秒可以開關(guān)上千次(kHz)，高速功率器件可達到幾十kHz，甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...

        2022-04-22 標簽：功率器件SiCGaN 4421 0

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        2022-04-18 標簽：英飛凌功率器件隔離驅(qū)動芯片 5423 1

        柵極電感對驅(qū)動電流的影響

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        驅(qū)動設(shè)計時需要選取合適的驅(qū)動電流，太小驅(qū)動能力不足，增加功率器件損耗，太大可能引起開通振蕩。

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        2022-04-11 標簽：英飛凌芯片技術(shù)功率器件 2086 0

        外延層的摻雜濃度對SiC功率器件的重要性

        控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導通電阻，阻斷電壓等重要的電學參數(shù)。

        2022-04-11 標簽：工藝功率器件SiC 8731 0

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        鐵路、汽車、基礎(chǔ)設(shè)施、家電等電力電子一直在與我們息息相關(guān)的生活中支持著我們。為節(jié)省能源和降低含碳量（實現(xiàn)脫碳），需要高度高效的電力電子技術(shù)。IGBT、S...

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        開關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些

        開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

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        如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術(shù)風頭正勁。與傳統(tǒng)的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電...

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        通過采用電子馬達驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...

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        SiC如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應用？

        碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導體具有很高的機械，化學和熱穩(wěn)定性。寬...

        2021-03-18 標簽：MOSFET功率器件SiC 8309 0

        GaN和SiC基功率半導體的寬帶隙技術(shù)

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        尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導體的現(xiàn)有硅材...

        2021-04-01 標簽：二極管功率器件GaN 2586 0

        基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

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        基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

        2021-04-23 標簽：MOSFET晶體管功率器件 3817 0

        一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

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        2021-05-10 標簽：變壓器功率器件Rohm 4516 0

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          工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應性、資源效率及基因工程學的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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