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標(biāo)簽 > 單晶硅

單晶硅

單晶硅

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  半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間,硅、鍺、砷化鎵和硫化鎘都是半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料的電阻率隨著溫度升高和輻射強(qiáng)度的增大而減小,在半導(dǎo)體中加入微量的雜質(zhì),對(duì)其導(dǎo)電性有決定性影響,這是半導(dǎo)體材料的重要特性。硅是最常見(jiàn)應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成晶核,其晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,形成單晶硅。

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單晶硅技術(shù)

CYB6300單晶硅壓力變送器:工業(yè)應(yīng)用的重要利器

單晶硅壓力變送器是一種常用于測(cè)量液體或氣體壓力的儀器。隨著工業(yè)自動(dòng)化水平的不斷提高,壓力變送器的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

2023-10-16 標(biāo)簽:信號(hào)處理壓力變送器LCD顯示 1096 0

什么是凹槽效應(yīng)?什么原因引起的?怎么抑制這種異常效應(yīng)呢?

什么是凹槽效應(yīng)?什么原因引起的?怎么抑制這種異常效應(yīng)呢?

在刻蝕SOI襯底時(shí),通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng),導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)?什么原因引起的?怎么抑制這種異常效應(yīng)呢?

2023-10-11 標(biāo)簽:單晶硅 2731 0

儲(chǔ)能電源太陽(yáng)能板充電選擇單晶硅好還是多晶硅好?

儲(chǔ)能便攜電源充電的時(shí)候,有一種充電方式是太陽(yáng)能板充電。這種充電方式非常適合在遠(yuǎn)離都市沒(méi)有電源的環(huán)境下利用太陽(yáng)光進(jìn)行充電,身在曠野也不用擔(dān)心用電問(wèn)題,這是...

2023-10-07 標(biāo)簽:多晶硅單晶硅儲(chǔ)能電源 1611 0

半導(dǎo)體的制造工藝及流程

半導(dǎo)體的制造工藝及流程

我們可以根據(jù)材料導(dǎo)電性的強(qiáng)弱將材料分為三類(lèi):導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體。

2023-09-15 標(biāo)簽:電容器半導(dǎo)體單晶硅 3806 0

半導(dǎo)體工藝?yán)锏臐穹ɑ瘜W(xué)腐蝕

半導(dǎo)體工藝?yán)锏臐穹ɑ瘜W(xué)腐蝕

濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝?yán)锩嬲加泻苤匾囊粔K。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。

2023-08-30 標(biāo)簽:電阻器單晶硅半導(dǎo)體工藝 4837 0

太陽(yáng)電池是如何做到像紙一樣進(jìn)行彎曲、折疊的?

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單晶硅太陽(yáng)電池最早由美國(guó)研究者在上世紀(jì)50年代發(fā)明出來(lái),并用于人造衛(wèi)星,當(dāng)時(shí)的光電轉(zhuǎn)換率僅5%左右。

2023-08-21 標(biāo)簽:太陽(yáng)電池電動(dòng)勢(shì)單晶硅 1044 0

什么是CMOS平板探測(cè)器?CMOS與非晶硅技術(shù)的異同點(diǎn)

什么是CMOS平板探測(cè)器?CMOS與非晶硅技術(shù)的異同點(diǎn)

CMOS全稱(chēng)是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體),它是指制造大規(guī)模集成電路芯片用的一...

2023-08-09 標(biāo)簽:探測(cè)器信號(hào)轉(zhuǎn)換器單晶硅 1.3萬(wàn) 0

半導(dǎo)體材料知識(shí)介紹

半導(dǎo)體材料知識(shí)介紹

硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料,它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式,其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...

2023-07-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體單晶硅碳化硅 7020 0

功率二極管的正向恢復(fù)特性和反向恢復(fù)特性

功率二極管的正向恢復(fù)特性和反向恢復(fù)特性

首先利用TCAD半導(dǎo)體器件仿真軟件建立高反壓整流二極管結(jié)構(gòu),如圖1所示。

2023-07-12 標(biāo)簽:二極管功率二極管整流二極管 2796 0

雙向可控硅仿真設(shè)計(jì)

雙向可控硅仿真設(shè)計(jì)

高壓雙向可控硅(SCR)具有阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率(dv/dt)高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上...

2023-07-12 標(biāo)簽:緩沖器SCR雙向可控硅 1153 0

非對(duì)稱(chēng)晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)Ⅰ

非對(duì)稱(chēng)晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)Ⅰ

該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率(dv/dt)高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率(di...

2023-07-05 標(biāo)簽:晶閘管晶體管NPN晶體管 693 0

離子注入工藝的損傷與熱退火

離子注入工藝的損傷與熱退火

高電流的硅或錯(cuò)離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu),并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。

2023-05-19 標(biāo)簽:單晶硅 4882 0

Zeta光學(xué)輪廓儀的太陽(yáng)能電池量測(cè)解決方案

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Zeta光學(xué)輪廓儀廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝流程中,包括: (i)用于硅片切割的金剛石線檢測(cè);(ii)硅片表面粗糙度、翹曲和邊緣倒角的量化;(iii...

2023-05-18 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池多晶硅單晶硅 2800 0

芯片制造為什么用單晶硅片做襯底呢?

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硅片是一種薄而平整的硅材料,通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。

2023-05-18 標(biāo)簽:傳感器處理器半導(dǎo)體 4154 0

從半導(dǎo)體原材料到拋光晶片的基本工藝流程

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 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程,接下來(lái)我們就聊聊其工藝流...

2023-04-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片工藝流程 4479 0

碳化硅的用途有哪些?碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎?

作為金屬脫氧劑,碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑,取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧,各項(xiàng)理化性能穩(wěn)定,脫氧效果好,時(shí)間縮短,提高煉鋼效率,提高鋼的質(zhì)量,...

2023-02-27 標(biāo)簽:多晶硅單晶硅碳化硅 6519 0

淺談多晶硅太陽(yáng)能電池的組成和作用

單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料,而制造這些材料工藝復(fù)雜,電耗很大,在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。

2023-02-15 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池單晶硅 2225 0

什么是硅片工藝

什么是硅片工藝

當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則形成多晶硅。

2023-02-13 標(biāo)簽:單晶硅單質(zhì)硅晶粒 3141 0

單晶硅刻蝕與多晶硅刻蝕的區(qū)別在哪?

磷酸硅(Si3(PO4)4)和氨氣(NH3)這兩種副產(chǎn)品都可以溶于水。LOCOS工藝的場(chǎng)區(qū)氧化層生成后(或USG研磨和STI退火處理后),這個(gè)技術(shù)至今仍...

2023-02-13 標(biāo)簽:多晶硅晶體管COS 4591 0

微機(jī)械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

微機(jī)械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

單晶S1, 作為IC、LSI的電子材料, 用于微小機(jī)械部件的材料,也就是說(shuō),作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。其理由是, 除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外,...

2022-03-29 標(biāo)簽:晶圓單晶硅刻蝕 1493 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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