標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
低噪聲放大器前端模塊,帶有 GPS/GN 900 至 930 MHz 高功率射頻前 2.4 GHz 發(fā)射/接收前端模塊,集成 900 MHz 發(fā)射/接收前端模塊 2.4 GHz 802.11ac AEC 天線開關(guān)前端模塊,帶集成雙工器 (FEM SkyOne? WiFi 雙頻(2.4 5 GHz、802.11ac 開關(guān)/低噪 用于四頻 GSM / GPRS / ED Tx-Rx 前端模塊,帶集成雙工器 (T SkyOne? Ultra 前端模塊,適 SkyOne? Wi-Fi 雙頻 802
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