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標(biāo)簽 > 干涉儀
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PPLN應(yīng)用于惡劣環(huán)境中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換
在我們上一篇文章中《應(yīng)用探究|PPLN波導(dǎo)賦能量子重力傳感:星載冷原子干涉儀應(yīng)用》,我們分享了昊量光電提供的英國(guó)CovesionMgO:PPLN波導(dǎo)組件...
優(yōu)可測(cè)白光干涉儀AM系列:量化管控納米級(jí)粗糙度,位移傳感器關(guān)鍵零件壽命提升50%
位移傳感器模組的編碼盤,其粗糙度及碼道的刻蝕深度和寬度,會(huì)對(duì)性能帶來(lái)關(guān)鍵性影響。優(yōu)可測(cè)白光干涉儀精確測(cè)量表面粗糙度以及刻蝕形貌尺寸,精度最高可達(dá)亞納米級(jí)...
應(yīng)用探究|PPLN波導(dǎo)賦能量子重力傳感:星載冷原子干涉儀應(yīng)用
基于MgO:PPLN波導(dǎo)的1560nm至780nm高效倍頻技術(shù),冷原子干涉技術(shù)通過(guò)銣原子冷卻與物質(zhì)波干涉,實(shí)現(xiàn)了對(duì)于重力加速度的精密測(cè)量。憑借由昊量光電...
簡(jiǎn)單介紹光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測(cè)量法。 現(xiàn)在一般光纖端面3D干涉儀操作界面上,都有白光和單色光(比如紅光或其他顏色)的兩個(gè)選項(xiàng)。 ? 白光干...
光學(xué)相干層析技術(shù)它利用弱相干光干涉儀的基本原理,檢測(cè)生物組織不同深度層面對(duì)入射弱相干光的背向反射或幾次散射信號(hào),通過(guò)掃描,可得到生物組織二維或三維結(jié)構(gòu)圖像。
微缺陷是可以在光學(xué)光滑表面上發(fā)現(xiàn)的凹坑和劃痕。它們通常使用光學(xué)輪廓儀、顯微鏡或顯微圖像比較儀進(jìn)行量化。ISO 10110-8表示,“微缺陷的數(shù)量N被認(rèn)為...
2023-09-19 標(biāo)簽:紅外光譜干涉儀激光系統(tǒng) 1.2萬(wàn) 0
雷達(dá)干涉測(cè)量原理與應(yīng)用知識(shí)點(diǎn)
散射體在分辨單元內(nèi)的運(yùn)動(dòng)到下一個(gè)會(huì)導(dǎo)致隨機(jī)不同的相干背向散射從一幅圖像到另一幅圖像的相位,即“時(shí)間”去相關(guān)。
每個(gè)導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)都由高度控制系統(tǒng)和飛行路徑控制系統(tǒng)組成。高度控制系統(tǒng)的作用是通過(guò)控制導(dǎo)彈的俯仰、橫滾和偏航,將導(dǎo)彈保持在有序飛行路徑上的所需高度。高度控...
2023-08-20 標(biāo)簽:傳感器控制系統(tǒng)電磁輻射 916 0
SuperViewW1白光干涉儀3D形貌測(cè)量圖立即下載
類別:測(cè)試測(cè)量 2022-12-26 標(biāo)簽:3D測(cè)量干涉儀 617 0
類別:數(shù)字信號(hào)處理論文 2011-05-12 標(biāo)簽:干涉儀抖動(dòng)分析相位差 1673 0
針對(duì)石油管道安全監(jiān)測(cè)的薩格納克干涉儀型光纖振動(dòng)傳感器立即下載
類別:傳感與控制 2011-02-14 標(biāo)簽:安全監(jiān)測(cè)干涉儀振動(dòng)傳感器 1065 0
類別:測(cè)試測(cè)量 2011-02-14 標(biāo)簽:干涉儀 840 0
干涉儀和FRM的光纖加速度計(jì)檢測(cè)方案研究立即下載
類別:測(cè)試測(cè)量論文 2010-08-17 標(biāo)簽:光纖干涉儀FRM 1009 0
通縮壓力下的 “逆行者”:新啟航如何用國(guó)產(chǎn) 3D 白光干涉儀破解半導(dǎo)體行業(yè)降本困局?
一、引言 全球半導(dǎo)體行業(yè)正面臨通縮壓力,市場(chǎng)需求增速放緩與制造成本上升的雙重?cái)D壓,使降本增效成為企業(yè)生存的核心命題。3D 白光干涉儀作為半導(dǎo)體晶圓、精密...
?武漢昊衡科技OLI系列白光干涉儀——賦能CPO時(shí)代光互聯(lián)高可靠檢測(cè)?
在高速光通信向CPO(共封裝光學(xué))技術(shù)躍遷的進(jìn)程中,光模塊與器件內(nèi)部光纖鏈路的微米級(jí)缺陷已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心痛點(diǎn)。傳統(tǒng)檢測(cè)手段受限于靈敏度不足、效...
硅片的 TTV,Bow, Warp,TIR 等參數(shù)定義
引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅片作為核心基礎(chǔ)材料,其質(zhì)量參數(shù)對(duì)芯片性能和生產(chǎn)良率有著重要影響。TTV、Bow、Warp、TIR 等參數(shù)是衡量硅片質(zhì)量與特性的...
改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方...
針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹...
光刻膠圖案化方法及光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠的圖案化和剝離是形成精確圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟,而光刻圖形的準(zhǔn)確測(cè)量則是確保工藝質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。本文將詳細(xì)介紹光刻膠...
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來(lái)的成...
減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文...
可再生光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工行業(yè),光刻膠剝離液的使用量龐大。傳統(tǒng)剝離液存在環(huán)境污染、資源消耗等問(wèn)題,可再生光刻膠剝離液憑借環(huán)保與可持續(xù)優(yōu)勢(shì)成為研究熱點(diǎn)。...
Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù),在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中,陽(yáng)極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果,而光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量...
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