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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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總結(jié)了一部分電流輸出電路技術(shù),并提供多款實(shí)用電路
電流鏡具有相對(duì)較高、有時(shí)非線性的輸入阻抗,因此它們必須由高阻抗電流源(有時(shí)亦稱為剛性電流源)提供電流。若輸入電流必須具有低阻抗吸電流能力,則需使用運(yùn)算放...
本文首先介紹了IGBT的作用及選型四個(gè)基本要求,其次介紹了IGBT選型方法及影響IGBT可靠性因素,最后介紹了IGBT使用注意事項(xiàng)及保管方法。
本文首先介紹了IGBT概念及結(jié)構(gòu),其次介紹了IGBT工作原理及代換,最后介紹了它的應(yīng)用領(lǐng)域。
在電子電路中,放大的對(duì)象是變化量,放大的本質(zhì)是在輸入信號(hào)的作用下,通過有源元件(晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管)對(duì)直流電源的能量進(jìn)行控制和轉(zhuǎn)換,使負(fù)載從電源中獲得的輸...
長期的研究目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)低于50W-mm的金屬-石墨烯接觸電阻,以實(shí)現(xiàn)高頻晶體管
大多數(shù)以前的研究人員都是嘗試通過提高載流子密度來獲得低接觸電阻的。在狄拉克點(diǎn)具有低接觸電阻的GFET有許多優(yōu)點(diǎn)。某些物理現(xiàn)象在狄拉克點(diǎn)附近有效,這使得輸...
除石墨烯外,還有許多其他的二維晶體,每一種都具有其獨(dú)特的性質(zhì)。有幾種能天然地存在于地下的寶石中,例如工業(yè)中的一種重要潤滑劑——二硫化鉬。其他的二維晶體可...
電氣接口的離散輸出高邊驅(qū)動(dòng)的詳細(xì)資料概述
離散輸出高邊驅(qū)動(dòng)。表B51給出了所有高邊驅(qū)動(dòng)輸出的電氣特性。分段顯示了高邊驅(qū)動(dòng)輸出子類別的具體示意圖和額外的電氣特性:ODH_Vs_x、ODHS_Vs_...
2018-07-01 標(biāo)簽:電氣PWM驅(qū)動(dòng) 7035 0
在本例中示出了 LTC4070 的光伏 (PV) 應(yīng)用。在該應(yīng)用中,增設(shè)了晶體管 Q1,旨在進(jìn)一步降低 LTC4070 已經(jīng)很低的靜態(tài)電流,從而在 PV...
利用低電平信號(hào)提供良好的CMR所需的線性光學(xué)隔離特性
Q2的輸出電流由U2-D、按R6 / R5指定的1000:1(60 dB)比率進(jìn)一步放大,并由LED /光電晶體管對(duì)U3-D耦合。將U3-B置于U2-D...
關(guān)于實(shí)現(xiàn)帶有較低額定輸入電壓控制器的150V非同步降壓解決方案
在如今的許多應(yīng)用中,要求的額定輸入電壓超過許多現(xiàn)有DC/DC控制器的V IN 最大額定值。對(duì)此,傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動(dòng)器...
OPA2810運(yùn)算放大器具有業(yè)界領(lǐng)先的最大偏差和最低電壓噪聲(5.7 nV/√Hz),適用于100到200 MHz帶寬范圍內(nèi)的27V放大器,使工程師能夠...
2018-06-21 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器晶體管高壓放大器 5561 0
諧振器 (a)所示是由聲表面波諧振器(SAW)組成的晶體管超高頻無線電發(fā)射的基本電路,其中SAW暫作為正反饋元件接在三極管VT的基極與LC網(wǎng)絡(luò)并聯(lián). (...
它使用Sigrity提取工具從物理layout中提取PCB/封裝模型,再將模型分配到各個(gè)模塊以連接每個(gè)模塊的信號(hào)、電源和地,然后使用類似SPICE的仿真...
2018-06-13 標(biāo)簽:控制器晶體管信號(hào)完整性 6472 0
觀看James Truchard博士在2011年NIWeek上發(fā)表的開幕主題演講,其中他提及了虛擬儀器的去過、現(xiàn)在與將來。 內(nèi)容覆蓋了從真空管、晶體管...
自激振蕩的判別條件 在電子線路中,判斷電路能否產(chǎn)生自激振蕩一直以來都是一個(gè)令學(xué)生感到困惑的問題,同學(xué)們對(duì)一個(gè)電路進(jìn)行分析時(shí)往往感到無從下手。筆者根據(jù)多年...
MOSFET(圖中以Nch為例)通過給柵極施加電壓在源極與漏極間創(chuàng)建通道來導(dǎo)通。另外,柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會(huì)流過 “導(dǎo)通”意義上的電...
功耗、散熱:隨著元件集成規(guī)模的提升,單位體積產(chǎn)生的熱功率也逐漸變大,然而器件散熱面積不變,造成單位面積的熱耗散達(dá)不到要求。同時(shí),單個(gè)晶體管微弱亞閾值電流...
一個(gè)包絡(luò)由多段組成,每一段包含一個(gè)達(dá)到目標(biāo)速度的加減速過程,和以目標(biāo)速度勻速運(yùn)行的一串指定數(shù)量的脈沖。如果是單段運(yùn)動(dòng)控制或者是多段運(yùn)動(dòng)控制的最后一段,還...
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