晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

UCC21222-Q1 汽車級(jí) 3.0kVrms、4A/6A 2 通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21222-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4A ...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 224 0

UCC21222 3.0kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21222 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFE...

2025-05-19 標(biāo)簽：可編程 IGBT 晶體管 279 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)阿倫尼烏斯壽命模型

Arrhenius，阿倫尼烏斯，提出了一個(gè)表征芯片使用壽命的計(jì)算模型，即阿倫尼烏斯壽命模型。透過驗(yàn)證晶體管在特定偏置電壓和溫度下的工作時(shí)長(HTOL)，...

2025-05-19 標(biāo)簽：芯片晶體管模型 612 0

UCC21540A 5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 GaN 185 0

UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5350-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管峰值電流 406 0

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...

2025-05-17 標(biāo)簽：可編程晶體管 GaN 361 0

無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFE...

2025-05-16 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET 半導(dǎo)體 374 0

UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-16 標(biāo)簽：晶體管 UVLO GaN 278 0

UCC21542 5.7kVrms，4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器晶體管 287 0

UCC5871-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器接口 236 0

UCC21551-Q1 汽車級(jí) 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 295 0

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 MOS...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 可編程 IGBT 218 0

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MO...

2025-05-16 標(biāo)簽：可編程 IGBT 晶體管 260 0

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFE...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 282 0

高電子遷移率晶體管介紹

MESFET 熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容限需求的增加，砷化鎵 MESFET已經(jīng)達(dá)到了其設(shè)計(jì)上...

2025-05-15 標(biāo)簽：晶體管 301 0

UCC21330-Q1 汽車級(jí) 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有禁用邏輯和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21330-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MO...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 304 0

UCC21331 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，帶使能邏輯和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21331 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSF...

2025-05-15 標(biāo)簽：可編程晶體管 UVLO 261 0

UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21231 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：可編程晶體管 GaN 242 0

LM395系列 42V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM195/LM395 是具有完全過載保護(hù)的快速單片電源集成電路。這些器件充當(dāng)高增益功率晶體管，芯片上包括電流限制、功率限制和熱過載保護(hù)，使其幾乎不可能...

2025-05-15 標(biāo)簽：負(fù)載電流電阻器晶體管 247 0

LP395 系列 36V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱過載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。...

2025-05-15 標(biāo)簽：晶體管過載保護(hù)額定電流 236 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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