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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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產(chǎn)生零點漂移的原因很多,任何元件參數(shù)的變化(包括電壓源電壓的波動),都將造成輸出電壓漂移。實踐證明,溫度變化是產(chǎn)生零點漂移的主要原因,也是最難克服的因素...
優(yōu)點是不同公共點之間可帶不同的交、直流負載,且電壓也可不同,帶負載電流可達2A/點;但繼電器輸出方式不適用于高頻動作的負載,這是由繼電器的壽命決 定的。...
N溝道MOSFET的基本概念、應(yīng)用電路及主要類型
眾所周知,MOSFET是晶體管的一種,也稱為IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)或MIFET(金屬絕緣體場效應(yīng)晶體管)。在MOSFET中,通道和柵極通過薄的...
PCIe4.0 x16與x8對RTX 4060級別顯卡性能有何影響?
如果是PCIe 4.0 x16插槽,那第二條PCIe插槽接入設(shè)備之后,第一條PCIe插槽也會降速到x8,如今RTX 4060系列的PCIe主動減少到x8...
漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
第三個特性,當E極接地,如果足夠大,那么就更加的大,這就預示著之間的電阻就更加的小。因為電流越大,電阻就越小。小到我們近似的認為CE之間是短路的。電流大...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標簽:MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.3萬 0
晶體管是一種電子器件,它有三個電極:基極、集電極和發(fā)射極。 基極是晶體管的輸入端,也稱為“正向基極”,是一個半導體金屬片,通常是一個鍍錫或鍍銀...
光電晶體管和光電二極管是密切相關(guān)的電光傳感器,它們在位置/存在感測、光強度測量和高速光脈沖檢測等應(yīng)用中可將入射光轉(zhuǎn)換成電流。但是,要充分利用這些器件,設(shè)...
晶閘管導通和關(guān)斷的條件是什么?如何去實現(xiàn)呢?
晶閘管導通條件:門極G加觸發(fā)信號,主端子A、K之間加正向電壓,且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。
第11代酷睿i7-1185G7詳細測評:采用全新“SuperFin”晶體管技術(shù)
英特爾在9月初正式發(fā)布了第11代酷睿Tiger Lake移動平臺,它最大的特色就是采用了全新的SuperFin晶體管技術(shù),江湖人稱10nm+。同時,第1...
場效應(yīng)管:FET是Field-Effect-Transistor的縮寫,一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電,因此...
2019-08-14 標簽:萬用表場效應(yīng)管晶體管 2.2萬 0
測量中不能任意撥動選擇旋鈕,特別是測高壓(如220V)或大電流(如0.5A)時,以免產(chǎn)生電弧,燒壞轉(zhuǎn)換開關(guān)觸點。測量完畢,應(yīng)將量程選擇開關(guān)撥到“?”位置。
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