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標(biāo)簽 > 晶格
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美國西北大學(xué)量子器件中心研制出了M-結(jié)構(gòu)的超晶格材料,降低了長波、超長波探測器中遂穿及擴(kuò)散電流,因此將暗電流降低了1個(gè)數(shù)量級(jí)。利用此結(jié)構(gòu)制備出了長波和甚...
每個(gè)面為兩個(gè)相鄰的晶胞所共有,每個(gè)面心格點(diǎn)只有二分之一是屬于一個(gè)晶胞,而處于頂角上的每個(gè)格點(diǎn)只有八分之一屬于一個(gè)晶胞,所以每個(gè)面心立方晶胞只含有4個(gè)格點(diǎn)。
電阻溫度系數(shù)對(duì)電阻穩(wěn)定性的重要性分析
電阻溫度系數(shù) (TCR),也稱RTC,是一種性能特征,在很大程度上受電阻結(jié)構(gòu)影響,阻值極低,并且不同的測試方法會(huì)產(chǎn)生不一樣的結(jié)果。本文中,我們將重點(diǎn)介紹...
導(dǎo)體的電阻與長度和橫截面積的關(guān)系是什么
電阻是導(dǎo)體對(duì)電流流動(dòng)的阻礙程度的量度,它與導(dǎo)體的長度和橫截面積有著密切的關(guān)系。在一個(gè)理想的導(dǎo)體中,電流的流動(dòng)是由電子在電場中的漂移而形成的。而導(dǎo)體的長度...
量子阱紅外探測器的名稱來源于其構(gòu)成材料在能帶結(jié)構(gòu)上構(gòu)成電子或空穴勢阱,外來光子引起的電子或空穴躍遷屬于子帶間躍遷,在外加電場的作用下光生載流子被收集形成...
2019-04-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料紅外探測器晶格 8693 0
二類超晶格的概念由IBM研究院的Sai-Halasz和Esaki 等科學(xué)家于1977年提出隨后他們對(duì)InAs/GaSb二類超晶格的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論計(jì)算...
當(dāng)一種組元A加到另一種組元B中形成的固體其結(jié)構(gòu)仍保留為組元B的結(jié)構(gòu)時(shí),這種固體稱為固溶體。B組元稱為溶劑,A組元稱為溶質(zhì)。組元A、B可以是元素,可以是化合物。
石墨烯發(fā)熱原理及其功能 石墨烯是一種由碳原子組成的單層二維晶格結(jié)構(gòu)材料。它的發(fā)現(xiàn)不僅引起了科學(xué)界的廣泛關(guān)注,還在眾多領(lǐng)域展示出了許多引人矚目的新功能。其...
NTC(Negative Temperature Coefficient)熱敏電阻是一種根據(jù)溫度變化而改變阻值的電子元件。它的電阻值隨著溫度的升高而減小...
應(yīng)力對(duì)LaAlO3/BaTiO3超晶格結(jié)構(gòu)及性能的影響立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2009-05-10 標(biāo)簽:晶格 873 0
我們繼續(xù)介紹與之對(duì)應(yīng)的壓電極化效應(yīng)。壓電極化效應(yīng)是由兩種材料之間的晶格失配引起的。 當(dāng)在一種材料襯底上外延生長另外一種晶格常數(shù)不匹配的材料時(shí),如果兩種材...
根據(jù)應(yīng)變的作用方向差異,應(yīng)變還可以分為雙軸應(yīng)變(Biaxial Strain,在晶片表面的x和y兩個(gè)方向上形成相對(duì)一致的應(yīng)力)和單軸應(yīng)變 (Uniaxi...
2022-11-28 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管晶格 1.1萬 0
“百萬像素中中波雙色制冷紅外探測器”通過科技成果評(píng)價(jià)
評(píng)價(jià)專家組認(rèn)為:高德紅外提供的資料齊全、完整,符合評(píng)價(jià)要求;公司創(chuàng)新成果得到成功應(yīng)用,研制出國內(nèi)首款基于銻化物二類超晶格的1280×1024、15μm像...
介紹工藝之前,我們先聊一下昨天一個(gè)朋友提到的日本日新的離子注入設(shè)備。日本日新是全球3大離子注入設(shè)備商之一。 1973年的時(shí)候,該公司就開始做離子注入的工...
來自美國密歇根大學(xué)的Emmanouil Kioupakis教授利用第一性原理計(jì)算,從薄膜和晶格匹配襯底兩種應(yīng)用考慮出發(fā),研究了砷化硼異質(zhì)結(jié)相關(guān)性能,包括...
對(duì)于60Si2MnA材料熱處理雖然對(duì)E的影響很小,但是G卻有明顯變化,根據(jù)剪切模量、彈性模量及泊松比的關(guān)系:G=E/(2(1+υ)),可以得出是熱處理會(huì)...
離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段,具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢。列表對(duì)比 摻雜原子被動(dòng)打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部,但是它是被硬塞進(jìn)去的,不是一個(gè)熱平衡下的...
支撐大規(guī)模多域作戰(zhàn)的能力:系統(tǒng)能夠集成全球陸地、海上、空中和太空多個(gè)領(lǐng)域的數(shù)千個(gè)傳感器和效應(yīng)器,在一張顯示屏上生成智能的共用作戰(zhàn)圖,實(shí)現(xiàn)了在大范圍戰(zhàn)場空...
基于銻化物Ⅱ類超晶格InAs/InAsSb的研究進(jìn)展
在半導(dǎo)體超晶格材料體系中,基于Ⅲ-V族半導(dǎo)體的超晶格材料是人們的研究熱點(diǎn),其帶隙在0.1~1.7eV之間,可作為紅外波段光電子器件的材料,也可應(yīng)用在工業(yè)...
來源|中科院之聲(zkyzswx)編者按:中科院之聲與中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所聯(lián)合開設(shè)科普硅立方專欄,為大家介紹先進(jìn)無機(jī)非金屬材料的前世今生。我們將帶...
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