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標簽 > 氧化鎵
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在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動超寬禁帶功率器件進入大規(guī)模落地階段。
氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領域具有重...
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導...
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生...
作為超寬禁帶半導體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料
隨著電力電子技術在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領域的應用越來越廣泛，寬禁帶半導體材料與器件的研究和發(fā)展也進入了加速階段。
氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導體領域的研究熱點。
近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業(yè)...
半導體材料是信息技術產業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體，GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。
在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區(qū)技術總監(jiān)張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀...
我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導體產業(yè)迎新突破！
2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬...
氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌，優(yōu)可測白光干涉儀檢測時長縮短至秒級！
傳統(tǒng)AFM檢測氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右，優(yōu)可測白光干涉儀檢測方案僅需3秒，百倍提升檢測效率！
中國第四代半導體技術獲重大突破:金剛石與氧化鎵實現(xiàn)強強聯(lián)合
2025年2月13日凌晨，中國科技界迎來一則重磅消息：吉林大學劉冰冰教授團隊聯(lián)合中山大學朱升財教授，在國際頂級期刊《Nature Materials》上...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法...
2025-02-17 標簽：氧化鎵 966 0
鎵仁半導體成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電摻雜
VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優(yōu)化，采用...
? ? 【研究 梗概 】 在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日， 沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUS...
偏振光探測與成像技術在遙感成像、機器視覺、復雜背景目標識別等領域具有廣泛的應用，近年來在天體物理和海底地震波探測等方面也展現(xiàn)出豐富的信息獲取能力。在不同...
ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協(xié)同設計實現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs
原創(chuàng)：Xoitec 異質集成XOI技術 來源：上海微系統(tǒng)所，集成電路材料實驗室，異質集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現(xiàn)超高壓、大功率、...
來源:悅智網(wǎng) ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導體器件作為高效電能控制和轉換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術的“幕后英雄”持續(xù)推動人類社會...
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