氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 1.3萬(wàn) 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開(kāi)關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...

2023-11-02 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵GaN 1168 0

什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

GaN近期為何這么火？如果再有人這么問(wèn)你，你可以這樣回答：因?yàn)槲覀冸x不開(kāi)電源。

2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)氮化鎵 6599 0

預(yù)匹配氮化鎵功放管參考應(yīng)用電路

基于D1A32 GaN器件設(shè)計(jì)的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵GaN 684 0

小米140W氮化鎵充電器拆解評(píng)測(cè)

PFC開(kāi)關(guān)管來(lái)自納微，型號(hào)NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及高精度無(wú)損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...

2023-10-31 標(biāo)簽：充電器DC-DC氮化鎵 2641 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...

2023-10-25 標(biāo)簽：寬帶氮化鎵GaN 2033 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...

2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵 1468 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問(wèn)題。

2023-10-20 標(biāo)簽：充電器晶圓氮化鎵 1771 0

氮化鎵晶體管簡(jiǎn)化大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)

叉車(chē)應(yīng)用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達(dá) 900 ARMS 電機(jī)相電流。通常，每個(gè)生產(chǎn)商都有一個(gè)平臺(tái)方法，并銷(xiāo)售按電...

2023-10-18 標(biāo)簽：逆變器微處理器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2059 0

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優(yōu)化設(shè)計(jì)

眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來(lái)可能。然而，在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿(mǎn)足EMC法規(guī)（例如EN55...

2023-10-16 標(biāo)簽：衰減器氮化鎵PFC電路 3062 0

氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電站等設(shè)計(jì)...

2023-10-13 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動(dòng)器FET 1058 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 2893 1

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 821 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 5155 1

為什么LED能夠發(fā)出不同顏色的光

LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因?yàn)樗鼈儾粌H具有高效能、長(zhǎng)壽命和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類(lèi)...

2023-09-27 標(biāo)簽：led發(fā)光二極管氮化鎵 3616 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1097 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）

提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1293 0