什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

2023-08-11 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵碳化硅 1373 0

幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...

2023-08-10 標(biāo)簽：led功率器件氮化鎵 2270 0

GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiC氮化鎵 1461 0

襯底工程對(duì)氮化物L(fēng)ED的影響研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-08 標(biāo)簽：led激光器發(fā)光二極管 558 0

氮化鎵和碳化硅誰(shuí)將贏(yíng)得寬帶隙之戰(zhàn)？

氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。

2023-08-07 標(biāo)簽：led照明充電器氮化鎵 1801 0

羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢(shì)及路線(xiàn)圖

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...

2023-08-02 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵GaN 993 0

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標(biāo)簽：電源整流器德州儀器 2654 0

慧能泰USB PD3.1快充方案匯總

2021年5月份，USB-IF協(xié)會(huì)正式發(fā)布了USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...

2023-07-31 標(biāo)簽：充電器usb氮化鎵 1031 0

PI氮化鎵的質(zhì)量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片GaN技術(shù) 2176 0

淺談雷達(dá)技術(shù)的幾個(gè)發(fā)展趨勢(shì)

氮化鎵（GaN）被認(rèn)為是自硅以來(lái)影響最大的半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品，該材料能夠在比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...

2023-07-27 標(biāo)簽：傳感器fpga氮化鎵 1550 0

雷達(dá)的常見(jiàn)分類(lèi)方法及發(fā)展趨勢(shì)

GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)： 優(yōu)勢(shì)： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提...

2023-07-10 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 1059 0

如何驗(yàn)證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵程序GaN 1024 0

針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！

切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1263 1

商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制

　　商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號(hào) 關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 454 0

GaN器件特性影響因素有哪些？

GaN開(kāi)始為人所知是在光電LED市場(chǎng)，廣為人知?jiǎng)t是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說(shuō)是新能源汽車(chē)市場(chǎng)，而非消...

2023-06-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN華燦光電 880 0