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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵快充芯片U8722BAS復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率,CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動(dòng)時(shí),U8722BAS通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最...
隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及,充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過(guò)工程師在設(shè)計(jì)GaN充電器時(shí),卻面臨一些棘手挑戰(zhàn): 在高頻狀態(tài)下,電磁...
氮化鎵單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下一代突破
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)者?;跈M向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì),可有效...
2025-04-09 標(biāo)簽:電力電子氮化鎵雙向開關(guān) 419 0
當(dāng)設(shè)備溫度超過(guò)設(shè)定閾值時(shí),外置OTP功能會(huì)自動(dòng)觸發(fā),降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備,以防止過(guò)熱,這對(duì)于保護(hù)設(shè)備內(nèi)部組件和延長(zhǎng)設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測(cè)到溫度升高時(shí)...
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能,通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位,可以減少電磁干擾(EMI),優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來(lái)...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器,可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源,符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn),如 DoE VI 級(jí)和歐盟 CoC V5 Ti...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時(shí)通過(guò)?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
HMC1086 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC,工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號(hào)增益,+44.5 dBm飽和輸出...
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 1.3萬(wàn) 0
氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量
介紹了氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用,對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件:Driving-Elec...
納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護(hù)技術(shù)
這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片,可滿足高功率應(yīng)用,例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著,當(dāng)電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí),具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行,不...
HMC8415 40W(46 dBm),9GHz至10.5GHz,GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器,可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W (46 dBm) 的...
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?:并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用...
氮化鎵(GaN)充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案
什么是氮化鎵(GaN)充電頭?氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),使用增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80...
2025-02-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 544 0
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵(GaN)功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無(wú)引腳(QFN)封裝中實(shí)現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 522 0
TIDA-050074:140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是基于氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源,具有高效率和功率密度。它支持寬輸入(90V~交流~至 264V ~交流~ ) 和輸出...
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