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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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TIDA-010236：適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設(shè)計
此參考設(shè)計是一款 4kW 連續(xù)導(dǎo)通模式 （CCM） 圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC），具有頂部冷卻的氮化鎵 （GaN） 子板和TMS320F280025C...
海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點，轉(zhuǎn)換效率高達91%，應(yīng)用廣泛，性價比高...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...
2025-02-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 462 0
用戶指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 579 0
技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...
2025-02-21 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 495 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
TI DRV7308 具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅(qū)動高達 450V 直流電源軌的三相 ...
過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，...
目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢和應(yīng)...
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！
2025-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率開關(guān)管快充芯片 622 0
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、...
2025-02-07 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 766 0
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和...
2025-01-15 標(biāo)簽：開關(guān)電源氮化鎵電源芯片 973 0
帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2...
氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景中，進一步...
在消費類快充電源市場中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
2024-12-24 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 827 0
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...
氮化鎵（Gallium Nitride，簡稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨特的優(yōu)勢，使其成為...
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