氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3597 0

氮化鎵半導(dǎo)體器件特性 氮化鎵半導(dǎo)體器件有哪些

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

2023-02-03 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體激光器 3555 0

通過(guò)100V增強(qiáng)型氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)直直變換器設(shè)計(jì)方案

在當(dāng)今的架構(gòu)中，通過(guò)采用12V的背板，工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來(lái)滿足高開(kāi)關(guān)頻率，傳輸高效率以及高功率密度。

2021-03-23 標(biāo)簽：通信技術(shù)晶體管氮化鎵 3513 0

氮化鎵技術(shù)概念股

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...

2023-02-13 標(biāo)簽：激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3507 0

氮化鎵半導(dǎo)體屬于金屬材料嗎

氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體高電壓氮化鎵 3505 0

硅基氮化鎵IC是如何制成的？重新定義電源轉(zhuǎn)換

隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對(duì)這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。

2020-11-19 標(biāo)簽：MOSFET晶體管氮化鎵 3463 0

氮化鎵mos管型號(hào)有哪些

氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...

2024-01-10 標(biāo)簽：電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3461 0

基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D LED技術(shù)

Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來(lái)，開(kāi)發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降...

2021-03-30 標(biāo)簽：led顯示器氮化鎵 3459 0

氮化鎵器件和解決方案的進(jìn)展與應(yīng)用分析

觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國(guó)防業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理）的訪談，了解氮化...

2019-08-05 標(biāo)簽：adi氮化鎵 3421 0

氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)！

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 3394 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來(lái)，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

2023-03-28 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 3378 0