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標(biāo)簽 > 電介質(zhì)
電介質(zhì)是能夠被電極化的絕緣體。電介質(zhì)的帶電粒子是被原子、分子的內(nèi)力或分子間的力緊密束縛著,因此這些粒子的電荷為束縛電荷。在外電場作用下,這些電荷也只能在微觀范圍內(nèi)移動(dòng),產(chǎn)生極化。在靜電場中,電介質(zhì)內(nèi)部可以存在電場,這是電介質(zhì)與導(dǎo)體的基本區(qū)別。
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高導(dǎo)熱聚酰亞胺電介質(zhì)薄膜研究進(jìn)展
摘要:在電子器件高度薄型化、多功能化和集成化的時(shí)代,會(huì)不可避免地導(dǎo)致復(fù)合材料內(nèi)部的熱量積累,嚴(yán)重影響設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和使用壽命,如何實(shí)現(xiàn)電介質(zhì)材料快速且高...
固體電介質(zhì)的絕緣特性_固體電介質(zhì)的擊穿形式
固體介質(zhì)廣泛用作電氣設(shè)備的內(nèi)絕緣,常見的有絕緣紙、紙板、云母、塑料等。高壓導(dǎo)體總是需要用固體絕緣材料來支持或懸掛,這種固體絕緣稱為絕緣子,而用于制造絕緣...
詳解電容器的原理與結(jié)構(gòu),你都會(huì)嗎?
"阻直流,通交流"是電容器的基本性質(zhì)。但并非所有交流電都一樣通過,通過的阻礙由交流電的頻率與電容器的電容量決定。該交流電通過阻礙叫做容抗(XC)。是電容...
關(guān)于CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術(shù)的對比分析和介紹
選擇多晶硅的另一個(gè)原因是MOS晶體管的閾值電壓與柵極和溝道之間的功函數(shù)差異相關(guān)。此前,當(dāng)工作電壓在3~5V范圍內(nèi)時(shí),使用金屬柵極。但是,隨著晶體管的縮小...
關(guān)于超級電容的原理與應(yīng)用以及未來的發(fā)展分析
通過導(dǎo)電聚合物構(gòu)建的新器件可以增加電容容量,這源自稱為贗電容的電荷儲(chǔ)存原理,贗電容由電極上的化學(xué)還原—氧化(氧化還原)反應(yīng)產(chǎn)生。通常,所述離子是O2+。...
關(guān)于高性能電介質(zhì)儲(chǔ)能研究最新進(jìn)展一覽
高儲(chǔ)能密度和高可靠性電介質(zhì)儲(chǔ)能材料在各種電力、電子系統(tǒng)中扮演著越來越重要的角色,特別是在高能脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域有著不可替代的應(yīng)用。
介質(zhì)損耗怎樣計(jì)算_介質(zhì)損耗計(jì)算公式
本文主要介紹了介質(zhì)損耗怎樣計(jì)算_介質(zhì)損耗計(jì)算公式。什么是介質(zhì)損耗:絕緣材料在電場作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介...
2018-03-20 標(biāo)簽:電介質(zhì) 8.8萬 0
電介質(zhì)介電常數(shù)大好還是小好_介電常數(shù)越大代表什么
介電常數(shù)是電介質(zhì)物理里面常見的一物理概念,但是物理意義不是十分清楚,是些書本上說,介電常數(shù)表征的是電介質(zhì)的束縛電荷的能力,也可表征材料的絕緣性能,介電常...
介質(zhì)在外加電場時(shí)會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場,介質(zhì)中的電場減小與原外加電場(真空中)的比值即為相對介電常數(shù)(relative permittivity或di...
本文將介紹MDTV用變頻芯片電介質(zhì)天線的電感器選定示例。變頻芯片電介質(zhì)天線改變天線的諧振頻率,涵蓋了超過相對帶寬50%的470-800MHz頻段。采用變...
空氣放電機(jī)器容易死機(jī)怎么破_電介質(zhì)的特點(diǎn)及應(yīng)用
某項(xiàng)目在進(jìn)行ESD測試當(dāng)中,當(dāng)靜電槍靠近塑膠機(jī)器浮地產(chǎn)品的外殼進(jìn)行空氣放電時(shí)12KV,機(jī)器容易死機(jī),重啟或者VDD損壞。本文避重就輕,由EMC的點(diǎn),來折...
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