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標(biāo)簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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Analog Devices Inc. HMC8413低噪聲放大器數(shù)據(jù)手冊
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Analog Devices Inc. ADL8107低噪聲放大器數(shù)據(jù)手冊
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Analog Devices Inc. ADL8106低噪聲放大器數(shù)據(jù)手冊
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Analog Devices Inc. ADPA7002功率放大器數(shù)據(jù)手冊
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ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz至31 GHz技術(shù)手冊
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ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,0.025 GHz至12 GHz技術(shù)手冊
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ADL8142S GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz 至 31 GHz技術(shù)手冊
ADL8142S-CSL 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片式微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器,工作頻...
ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,5 GHz至20 GHz技術(shù)手冊
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ADL8106 GaAs pHEMT低噪聲放大器,20 GHz 至 54 GHz技術(shù)手冊
ADL8106 是一款砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 微波單片集成電路 (MMIC) 寬帶低噪聲放大器,工作頻率為 20 ...
AS169-73 PHEMT砷化鎵集成電路單刀雙擲開關(guān)規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-08-03 標(biāo)簽:砷化鎵PHEMT單刀雙擲開關(guān) 340 0
HMC998APM5E分布式功率放大器規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-25 標(biāo)簽:功率放大器砷化鎵 406 0
類別:IC datasheet pdf 2023-07-25 標(biāo)簽:放大器砷化鎵 237 0
砷化鎵集成單刀雙擲開關(guān)AS179-92LF英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-04-12 標(biāo)簽:砷化鎵單刀雙擲開關(guān) 681 0
類別:IC datasheet pdf 2021-04-12 標(biāo)簽:集成電路晶體管砷化鎵 622 0
半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2018-11-08 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體砷化鎵 3230 0
上海光機所在強場太赫茲對砷化鎵偶次諧波調(diào)控研究方面取得新進展
圖1. 強場太赫茲波的產(chǎn)生及物質(zhì)調(diào)控信號測量裝置 (a)實驗光路;(b)泵浦光光譜;(c)太赫茲頻譜。 近期,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所強場激光物...
河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項目
5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導(dǎo)體材料團隊執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項目做了詳細介紹。
南京大學(xué)團隊首次觀測到引力子激發(fā)現(xiàn)象
該科研成果已于北京時間2024年3月28日以“證據(jù)表明分數(shù)量子霍爾液體中有手性黑格斯?!睘轭}在國際頂尖學(xué)術(shù)期刊Nature上公開發(fā)表。全球的引力子研究一...
2024-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)砷化鎵 892 0
菏澤市牡丹區(qū)砷化鎵半導(dǎo)體晶片項目奠基儀式隆重舉行
首期項目斥資15億人民幣,致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計在2025年7月開始試運行,此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)...
上海伯東美國 Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運輸以及儲存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛,器件分類齊全,包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。
中國對鎵、鍺實施出口管制,短期內(nèi)會引起全球鎵、鍺的備貨潮,遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶,推動相關(guān)海外產(chǎn)品價格大幅上漲,國外企業(yè)AXT股價已大幅下跌。
2023-07-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2529 0
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