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硅二極管+關注0人關注

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  硅二極管死區(qū)電壓約0.5伏,鍺的0.1伏,正向壓降硅0.6~0.7伏,鍺0.2~0.3伏,硅反向電流小,耐壓高,鍺相反。

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