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      標(biāo)簽　>　納微半導(dǎo)體

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      納微半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)

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      納微半導(dǎo)體簡介

      　　Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。

      　　GaN 的重要性與日俱增，因?yàn)樗軌蛱峁┍葌鹘y(tǒng)硅半導(dǎo)體顯著改進(jìn)的性能，同時(shí)減少提供該性能所需的能量和物理空間。GaN 技術(shù)將通過提高效率、降低清潔能源的成本以及減少制造功率半導(dǎo)體所需的材料和能源來加速向可持續(xù)未來的過渡。

      　　Navitas 是 GaN 的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，在單個(gè)易于使用的集成電路 （IC） 中提供驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)。Navitas GaNFast IC是易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出”構(gòu)建塊，可將開關(guān)速度提高 100 倍，同時(shí)將節(jié)能效果提高 40%。

      　　通過選擇 Navitas GaN，產(chǎn)品開發(fā)人員能夠創(chuàng)建比以往更小、更輕、更快、更環(huán)保的電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案。從智能手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦的快速充電器到電視、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電動(dòng)汽車和可再生能源發(fā)電，GaNFast IC 可實(shí)現(xiàn)最高能效、最高集成度和最高功率密度。

      　　Navitas 的管理團(tuán)隊(duì)在電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新和業(yè)務(wù)創(chuàng)造方面有著非凡的記錄。該公司由管理團(tuán)隊(duì)和頂級(jí)風(fēng)險(xiǎn)投資家 Atlantic Bridge、Capricorn Investment Group 和 Malibu IQ 資助，他們都在建立對(duì)電子行業(yè)產(chǎn)生重大影響的業(yè)務(wù)方面擁有良好的記錄。

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      納微半導(dǎo)體技術(shù)

      納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析

      納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析

      前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。

      2025-06-03 標(biāo)簽：DC-DC氮化鎵功率芯片 686 0

      小米140W氮化鎵充電器拆解評(píng)測

      小米140W氮化鎵充電器拆解評(píng)測

      PFC開關(guān)管來自納微，型號(hào)NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...

      2023-10-31 標(biāo)簽：充電器DC-DC氮化鎵 2629 0

      GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢(shì)？

      GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢(shì)？

      納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)...

      2023-09-01 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1332 0

      納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

      碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料，正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片，應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

      2023-06-07 標(biāo)簽：功率器件充電樁碳化硅 573 0

      納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路

      納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路

      GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動(dòng)器的所有優(yōu)點(diǎn)，加上單個(gè)表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)...

      2023-04-25 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 536 0

      簡述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

      充電器，已經(jīng)成為每個(gè)人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊，能否提供更高的功率和更短的充電時(shí)間，對(duì)消費(fèi)電子企業(yè)和消費(fèi)者都非常重要，在這種背景下，讓氮化鎵已...

      2022-11-09 標(biāo)簽：充電器GaN納微半導(dǎo)體 825 0

      納微半導(dǎo)體發(fā)布采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片

      納微半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片，作為全新一代產(chǎn)品，其集成了兩個(gè)GaN FET...

      2022-09-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器功率芯片納微半導(dǎo)體 2126 0

      一文看懂氮化鎵：納微最全介紹，帶你極速認(rèn)識(shí)第三代半導(dǎo)體

      禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。

      2021-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.3萬 0

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      納微半導(dǎo)體帖子

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      納微半導(dǎo)體資訊

      納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃

      納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃

      下一階段戰(zhàn)略有望強(qiáng)化供應(yīng)鏈、推動(dòng)創(chuàng)新，降本增效——助力納微氮化鎵（GaN）在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能以及家電、手機(jī)移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域的快速應(yīng)用。 加利...

      2025-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1016 0

      納微車規(guī)級(jí)第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器

      納微車規(guī)級(jí)第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器

      GeneSiC MOSFET技術(shù)為燃料電池和重型運(yùn)輸領(lǐng)域的高壓大功率‘多變換器’賦予無與倫比的功率密度 日前；納微半導(dǎo)體宣布與法國知名電力電子制造商——...

      2025-06-16 標(biāo)簽：電池充電氫燃料電池納微半導(dǎo)體 2641 0

      納微半導(dǎo)體推出12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源

      近日，納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì)，可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。

      2025-05-27 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心AI納微半導(dǎo)體 522 0

      NVIDIA 采用納微半導(dǎo)體開發(fā)新一代數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu) 800V HVDC 方案，賦能下一代AI兆瓦級(jí)算力需求

      NVIDIA 采用納微半導(dǎo)體開發(fā)新一代數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu) 800V HVDC 方案，賦能下一代AI兆瓦級(jí)算力需求

      全球 AI 算力基礎(chǔ)設(shè)施革新迎來關(guān)鍵進(jìn)展。近日，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor, 納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布參與NVIDIA ...

      2025-05-23 標(biāo)簽：NVIDIA納微半導(dǎo)體 1350 0

      納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

      納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“...

      2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅納微半導(dǎo)體 435 0

      納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績

      納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績。

      2025-05-08 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 833 0

      峰值效率98%，納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，支持英偉達(dá)Backwell GPU

      峰值效率98%，納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，支持英偉達(dá)Backwell GPU

      去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和...

      2025-05-06 標(biāo)簽：電源氮化鎵納微半導(dǎo)體 3645 0

      納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025

      納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。

      2025-04-27 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 440 0

      納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK功率模塊

      納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用...

      2025-04-22 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅納微半導(dǎo)體 470 0

      納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證

      納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證

      ? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...

      2025-04-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 1869 0

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      納微半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • 快充技術(shù)
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      • 尼吉康
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        +關(guān)注
      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
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        國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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        手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽能充電
        太陽能充電
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      • PSR
        PSR
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        光伏并網(wǎng)逆變器
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        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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        USB-PD
        +關(guān)注
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        PWM信號(hào)
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        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
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      • 董明珠
        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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