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芯片制造

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《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（美國）贊特。本書介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。

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芯片制造技術(shù)

銅對芯片制造中的重要作用

在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)百億晶體管需要通過比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。當(dāng)制程進(jìn)入130納米節(jié)點時，傳統(tǒng)鋁互連已無法滿足需求——而銅（Cu）的引入，如同...

2025-07-09 標(biāo)簽：晶體管納米芯片制造 118 0

半導(dǎo)體分層工藝的簡單介紹

在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（...

2025-07-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝芯片制造 101 0

多晶硅在芯片制造中的作用

在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly-Si）。這種由無數(shù)微小硅晶粒組成的材料，憑借其可調(diào)的電學(xué)性能...

2025-07-08 標(biāo)簽：多晶硅晶圓芯片制造 422 0

半導(dǎo)體摻雜濃度及圖形測量方法

熱波系統(tǒng)通過激光誘導(dǎo)熱效應(yīng)與晶格缺陷的關(guān)聯(lián)性實現(xiàn)摻雜濃度評估。其核心機(jī)制為：氬泵浦激光經(jīng)雙面鏡聚焦于晶圓表面，通過光熱效應(yīng)產(chǎn)生周期性熱波，導(dǎo)致局部晶格缺...

2025-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造 1063 0

芯片制造中的暈環(huán)注入技術(shù)

當(dāng)晶體管柵長縮至20納米以下，源漏極間可能形成隱秘的電流通道，導(dǎo)致晶體管無法關(guān)閉。而暈環(huán)注入（Halo Implant）技術(shù)，正是工程師們設(shè)計的原子級...

2025-07-03 標(biāo)簽：晶體管芯片制造 PN結(jié) 549 0

逆向阱技術(shù)的精密構(gòu)建

在芯片的硅基世界中，硼離子注入（Boron Implant）如同納米級的外科手術(shù)——通過精準(zhǔn)控制高能硼原子打入晶圓特定區(qū)域，構(gòu)建出晶體管性能的“地基”...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管納米芯片制造 220 0

芯片制造中解耦等離子體氮化工藝流程

在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個原子層）。此時，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可...

2025-06-12 標(biāo)簽：等離子體工藝晶體管 527 0

半導(dǎo)體制造中的高溫氧化工藝介紹

ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在...

2025-06-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝芯片制造 614 0

劃片機(jī)在存儲芯片制造中的應(yīng)用

劃片機(jī)（DicingSaw）在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個芯片（Die），這一過程在內(nèi)存儲存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產(chǎn)中至...

2025-06-03 標(biāo)簽：芯片制造劃片機(jī)博捷芯 242 0

芯片制造中的化學(xué)鍍技術(shù)研究進(jìn)展

芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、熱壓鍵合等技術(shù)來實現(xiàn)芯片導(dǎo)電互連。

2025-06-03 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體芯片制造 1319 0

半導(dǎo)體晶圓制造潔凈廠房的微振控制方案

微振控制在現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB50472中有關(guān)微振控制的規(guī)定主要有：潔凈廠房的微振控制設(shè)施的設(shè)計分階段進(jìn)行，應(yīng)包括設(shè)計、施工和投...

2025-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造 170 0

自對準(zhǔn)雙重圖案化技術(shù)的優(yōu)勢與步驟

在芯片制造中，光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級的電路圖案。然而，當(dāng)制程進(jìn)入7納米以下，傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼近物理極限。這時，自對準(zhǔn)雙重圖案化（SADP）的...

2025-05-28 標(biāo)簽：芯片制造光刻技術(shù) 307 0

氧化層制備在芯片制造中的重要作用

本文簡單介紹了氧化層制備在芯片制造中的重要作用。

2025-05-27 標(biāo)簽：芯片制造氧化層 550 0

晶圓接受測試中的閾值電壓測試原理

在芯片制造的納米世界里，閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”——微小偏差即可導(dǎo)致系統(tǒng)性崩潰。作為晶圓接受測試(W...

2025-05-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 390 0

芯片制造多重曝光中的套刻精度要求

本文介紹了先進(jìn)集成電路制造多重曝光中的套刻精度要求。

2025-05-21 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體芯片制造 448 0

芯片制造中自對準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹

但當(dāng)芯片做到22納米時，工程師遇到了大麻煩——用光刻機(jī)畫接觸孔時，稍有一點偏差就會導(dǎo)致芯片報廢。自對準(zhǔn)接觸技術(shù)（SAC），完美解決了這個難題。

2025-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管芯片制造 343 0

為什么芯片制造常用P型硅

從早期的平面 CMOS 工藝到先進(jìn)的 FinFET，p 型襯底在集成電路設(shè)計中持續(xù)被廣泛采用。為什么集成電路的制造更偏向于P型硅？

2025-05-16 標(biāo)簽：集成電路芯片制造 306 0

芯片制造中的鎢栓塞與銅互連

在指甲蓋大小的芯片上，數(shù)十億晶體管需要通過比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。隨著制程進(jìn)入納米級，一個看似微小的細(xì)節(jié)——連接晶體管與金屬線的"接觸孔&...

2025-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管芯片制造 267 0

光刻膠的類型及特性

光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了...

2025-04-29 標(biāo)簽：芯片制造光刻膠光刻工藝 2129 0

氮化硅在芯片制造中的核心作用

在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看，氮化硅屬于無機(jī)化合物，由硅元...

2025-04-22 標(biāo)簽：材料芯片制造氮化硅 911 0

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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