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      標(biāo)簽　>　芯片制造

      芯片制造

      +關(guān)注10人關(guān)注

      《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（美國(guó)）贊特。本書介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。

      文章：667個(gè) 瀏覽：29710次 帖子：13個(gè)

      芯片制造技術(shù)

      芯片制造全工藝流程分解說明

      芯片制造全工藝流程分解說明

      01 —— 芯片制作流程 芯片制作完整過程包括：芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、成本測(cè)試等幾個(gè)環(huán)節(jié)，其中晶片片制作過程尤為的復(fù)雜。下面圖示讓我們共同來了解...

      2024-08-07 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝 3616 0

      WD4000系列晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)：全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測(cè)，保障晶圓制造工藝質(zhì)量

      WD4000系列晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)：全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測(cè)，保障晶圓制造工藝質(zhì)量

      晶圓面型參數(shù)厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數(shù)。其中TTV、BOW、Warp三個(gè)參數(shù)反映了半導(dǎo)體晶...

      2024-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 1334 0

      用于芯片制造的襯底類型有哪些，分別用在哪些產(chǎn)品中？

      襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

      2024-05-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器晶圓 4340 0

      半導(dǎo)體工藝技術(shù)：器件的制造步驟

      半導(dǎo)體工藝技術(shù)：器件的制造步驟

      電信號(hào)處理工業(yè)始于上個(gè)世紀(jì)初的真空管，真空管使得收音機(jī)、電視機(jī)和其他電子產(chǎn)品成為可能。它也是世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)的大腦。

      2024-04-28 標(biāo)簽：集成電路晶體管芯片制造 728 0

      芯片的性能由什么決定 芯片最關(guān)鍵的技術(shù)是什么

      芯片內(nèi)部集成了大量的晶體管和其他電子元件，這些元件可以協(xié)同工作，執(zhí)行各種復(fù)雜的數(shù)學(xué)運(yùn)算和邏輯運(yùn)算。這使得芯片能夠處理大量的數(shù)據(jù)，完成各種復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)。

      2024-04-25 標(biāo)簽：CMOS數(shù)據(jù)傳輸電子元件 4356 0

      美光將獲61億美元補(bǔ)助金 加速美國(guó)本土半導(dǎo)體工廠建設(shè)

      盡管該筆補(bǔ)貼尚未最終敲定，但預(yù)計(jì)將在不久的將來正式公布。

      2024-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造美光 862 0

      芯片制造的21個(gè)步驟

      中央處理器（CPU）是一塊超大規(guī)模的集成電路，是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的運(yùn)算核心和控制核心。它的功能主要是解釋計(jì)算機(jī)指令以及處理計(jì)算機(jī)軟件中的數(shù)據(jù)，這也是迄今為數(shù)不...

      2024-04-16 標(biāo)簽：處理器cpu芯片制造 1305 0

      半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過程

      半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過程

      先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對(duì)8吋，12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

      2024-04-15 標(biāo)簽：芯片制造硅片晶圓制造 2056 0

      淺談刻蝕的終點(diǎn)控制

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      當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí)，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時(shí)間平均離子能量分...

      2024-04-09 標(biāo)簽：集成電路等離子體芯片制造 1301 0

      實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成與小芯片優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵“互連”

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      在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長(zhǎng)的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術(shù)總監(jiān)Larry Zhao所詳細(xì)...

      2024-04-07 標(biāo)簽：微控制器pcbsoc 985 0

      半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過程

      半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過程

      芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個(gè)匯總，對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過程有一個(gè)全面而概括的描述。

      2024-03-29 標(biāo)簽：芯片制造蝕刻單晶硅 4929 0

      芯片的常見功耗問題盤點(diǎn)

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      Cadence產(chǎn)品管理總監(jiān)Melika Roshandell表示：“盡管基本漏電較之前的技術(shù)有所降低，但總體功耗卻更高。所以，熱量問題將更加嚴(yán)重，因?yàn)槟?..

      2024-03-25 標(biāo)簽：傳感器芯片cpu 1917 0

      半導(dǎo)體晶圓直徑與厚度之間的關(guān)系

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      厚度的增加雖然提高了晶圓的穩(wěn)定性，但同時(shí)也帶來了新的挑戰(zhàn)，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會(huì)影響...

      2024-03-25 標(biāo)簽：晶圓芯片制造半導(dǎo)體晶圓 2954 0

      芯片制作流程分解說明

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      芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試，其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。

      2024-03-25 標(biāo)簽：芯片NAND晶圓 1885 0

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      光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...

      2024-03-21 標(biāo)簽：芯片集成電路芯片制造 8406 0

      黃仁勛回應(yīng)中國(guó)市場(chǎng)問題

      英偉達(dá)CEO黃仁勛近日在接受媒體采訪時(shí)，深入探討了公司在全球數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的戰(zhàn)略布局以及最新研發(fā)的AI芯片Blackwell的相關(guān)情況。

      2024-03-20 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心芯片制造人工智能 1080 0

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      制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(jí)（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級(jí)或更高。

      2024-03-20 標(biāo)簽：集成電路晶圓芯片制造 4423 0

      芯片制造工藝為什么用黃光?

      芯片制造工藝為什么用黃光?

      光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡(jiǎn)單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過程。

      2024-03-18 標(biāo)簽：集成電路芯片制造光刻 3229 0

      揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過程

      揭秘芯片制造工藝——硅的氧化過程

      由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場(chǎng)氧化層。

      2024-03-13 標(biāo)簽：集成電路芯片制造MOS 4827 0

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      芯片制造工藝：晶體生長(zhǎng)基本流程

      從液態(tài)的熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

      2024-03-12 標(biāo)簽：集成電路多晶硅晶體 5162 0

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