研究人員開發(fā)出一種創(chuàng)新的光電化學(PEC)蝕刻技術(shù)

近日，美國哈佛醫(yī)學院(HMS)和麻省理工學院總醫(yī)院的一個聯(lián)合研究小組表示，他們利用PEC刻蝕法實現(xiàn)了微盤激光器輸出的調(diào)諧，這使得納米光子學和生物醫(yī)學的新...

2023-09-12 標簽：光電激光器通信 1839 0

適用于基于晶圓鍵合的3D集成應用的高效單晶圓清洗

不同的微電子工藝需要非常干凈的表面以防止顆粒污染。其中，晶圓直接鍵合對顆粒清潔度的要求非常嚴格。直接晶圓鍵合包括通過簡單地將兩種材料的光滑且干凈的表面接...

2023-09-08 標簽：半導體晶圓蝕刻技術(shù) 593 0

耐蝕點蝕鍍銅工藝

隨著5G技術(shù)的推出，導致電子電路和IC基板在設(shè)計中要求更高的密度。由于5G應用的性質(zhì)，這些設(shè)計中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。

2023-09-01 標簽：半導體鍍銅工藝蝕刻工藝 3828 0

深度解讀硅微納技術(shù)之蝕刻技術(shù)

蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。

2023-07-12 標簽：蝕刻技術(shù)薄膜基板 763 0

一種新型的鍺化硅（SiGe）干式選擇性各向同性原子層蝕刻技術(shù)

納米線(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個極好的平臺， 從而研究如何使納米線的表面功能化，由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性，導致我們需要考慮如何使納...

2023-06-16 標簽：半導體晶體管蝕刻技術(shù) 2141 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標簽：NAND存儲芯片蝕刻技術(shù) 2738 0

硅的濕式化學蝕刻和清洗

本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個蝕刻劑和過程的簡明清單

2023-03-17 標簽：半導體蝕刻蝕刻技術(shù) 2861 0

混合鋁蝕刻劑的化學特性分析

摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應用。溫度變化...

2022-01-07 標簽：半導體印刷電路蝕刻 1629 0

日本芯片技術(shù)突破！400層堆疊 3D NAND閃存將至！

在介紹日本電子公司研發(fā)的全新蝕刻技術(shù)之前，我們需要了解蝕刻技術(shù)的歷史。蝕刻技術(shù)是芯片制造基礎(chǔ)工藝之一，它是指對光刻技術(shù)制作的圖案進行蝕刻，得到具有一定幾...

2023-06-26 標簽：芯片技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈蝕刻技術(shù) 1594 0

真空蝕刻技術(shù)的未來將會如何發(fā)展

在實踐中，在這一過程中出現(xiàn)了一些物理問題。通常，系統(tǒng)會使用水平線。在這里通?？梢源_定一個缺陷：在電路板的上下兩側(cè)通?？梢杂^察到不同的蝕刻結(jié)果。對板上部的...

2022-06-16 標簽：pcb蝕刻技術(shù) 625 0