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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電路
驅(qū)動(dòng)電路(Drive Circuit),,其基本任務(wù)就是將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)按照其控制目標(biāo)的要求,轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間,可以使其開通或關(guān)斷的信號(hào)。對(duì)半控型器件只需提供開通控制信號(hào),對(duì)全控型器件則既要提供開通控制信號(hào),又要提供關(guān)斷控制信號(hào),以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。
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高邊驅(qū)動(dòng)和低邊驅(qū)動(dòng)到底是什么 高邊和低邊驅(qū)動(dòng)等效電路圖講解
工程師在開發(fā)汽車電子項(xiàng)目時(shí),會(huì)經(jīng)常碰到驅(qū)動(dòng)多路負(fù)載的情況,比如驅(qū)動(dòng)內(nèi)飾燈、驅(qū)動(dòng)門窗和天窗的電機(jī),驅(qū)動(dòng)左轉(zhuǎn)向燈和右轉(zhuǎn)向燈的繼電器。
開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
電源常用的開關(guān)器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN,這幾種器件均為電壓驅(qū)動(dòng)型器件,不同類型器件的驅(qū)動(dòng)電路也不完全相同
2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器變換器 2104 0
12V電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
單MOS管驅(qū)動(dòng)電路,采用P75NF75為主構(gòu)成。
2023-10-16 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管電機(jī) 1676 0
蜂鳴器:發(fā)聲元件,在其兩端施加直流電壓(有源蜂鳴器)或者方波(無(wú)源蜂鳴器)就可以發(fā)聲,其主要參數(shù)是外形尺寸、發(fā)聲方向、工作電壓、工作頻率、工作電流、驅(qū)動(dòng)...
2023-10-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路蜂鳴器續(xù)流二極管 3.1萬(wàn) 0
求一種隔離式雙通道驅(qū)動(dòng)模塊設(shè)計(jì)方案
驅(qū)動(dòng)電路是變換器的重要組成部分,它的性能直接關(guān)乎變換器的穩(wěn)定性和可靠性。半橋和全橋變換器中需要用到半橋驅(qū)動(dòng)電路。
2023-10-16 標(biāo)簽:變換器電源電壓驅(qū)動(dòng)電路 1680 0
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的工作原理 MOSFET作為開關(guān)的作用
當(dāng)我們使用 MCU(微控制器)制作產(chǎn)品或者搭建電路時(shí),有時(shí)候希望通過(guò) MCU 控制某些外設(shè)。外設(shè)可能是一個(gè)需要極小電流的設(shè)備,比如 LED,或者是大功率...
在芯片開始工作之前,5V2A電源ic U65143僅消耗典型值為1.1uA 的啟動(dòng)電流,超低啟動(dòng)電流可以幫助增加啟動(dòng)電阻阻值以達(dá)到降低待機(jī)功耗的目的。當(dāng)...
2023-10-15 標(biāo)簽:三極管適配器驅(qū)動(dòng)電路 1134 0
隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測(cè)企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET散熱器驅(qū)動(dòng)電路 5370 0
蘋果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈(zèng)標(biāo)準(zhǔn)5V/1A手機(jī)適配器,這一變化催生了零部件市場(chǎng)大功率適配器需求的再次繁榮。
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 724 0
基于雪崩晶體管的納秒脈沖驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
如果在晶體管的集電極加上比正常運(yùn)用大許多倍的電壓,使集電極的載流子被強(qiáng)電場(chǎng)加速,從而獲得很大的能量。這些被加速的載流子與晶格發(fā)生碰撞便產(chǎn)生了新的電子-空...
數(shù)字電源的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)講解
驅(qū)動(dòng)電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間,其本質(zhì)是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的開斷。優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠提高數(shù)字電源的...
IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過(guò)程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 2031 0
什么是直流脈沖電磁閥 電容放電控制電磁閥電路圖設(shè)計(jì)
電容的充電電流根據(jù)升壓電路中的電容C1合理選擇。 電容C1兩端的電壓2*Vin-2*VDF=17.4v(Vin為輸入電壓9V, VDF為二極管D1D2的...
MOS管開通時(shí)的充電電阻、關(guān)斷時(shí)的放電電阻根據(jù)所選的MOS管選擇,并結(jié)合實(shí)際調(diào)試情況決定。是否增加MOS管的吸收電路根據(jù)所選擇MOS管的開關(guān)速度決定,...
2023-10-07 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路穩(wěn)壓管 2169 0
驅(qū)動(dòng)電路的必要組成部分有哪些 驅(qū)動(dòng)電路和控制電路的區(qū)別和聯(lián)系
將控制信號(hào)進(jìn)行放大,以能夠提供足夠的功率和電流來(lái)驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器。功率放大器通常采用晶體管、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高功率開關(guān)元件。
PMOS低電平驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
如上圖,PMOS管是壓控型器件,|Vgs|電壓大于|Vth|電壓時(shí),內(nèi)部溝道在場(chǎng)強(qiáng)的作用下導(dǎo)通,|Vgs|電壓小于|Vth|電壓時(shí),內(nèi)部溝道截止。
2023-09-26 標(biāo)簽:二極管電路圖電路設(shè)計(jì) 1.5萬(wàn) 0
上篇文章介紹了變頻器逆變器常用的外圍驅(qū)動(dòng)電路部分,主要介紹了M57962和EXB840,這兩種驅(qū)動(dòng)模塊都是用的比較多且技術(shù)方案比較早期的因此存在一個(gè)問題...
2023-10-02 標(biāo)簽:變頻器逆變器驅(qū)動(dòng)電路 6848 0
超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹
功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。
2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 7117 0
對(duì)于硬件開發(fā),往往有上手比較棘手的兩個(gè)地方,一個(gè)是MOS驅(qū)動(dòng),另一個(gè)是運(yùn)放設(shè)計(jì)。
2023-09-17 標(biāo)簽:三極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 5029 0
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