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標(biāo)簽 > GaN
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重磅!英偉達(dá)800V高壓直流架構(gòu)革新AI數(shù)據(jù)中心,三大功率GaN大廠新品揭秘
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來在功率半導(dǎo)體市場備受關(guān)注,從消費(fèi)電子快充領(lǐng)域崛起,到如今的AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等...
瑞薩電子發(fā)布新一代650V GaN FET:用獨(dú)特D-MODE賦能高功率場景
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子和消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體 ——GaN(氮化鎵)正迎來前所未有的增長...
GaN代工格局生變?臺積電退場,納微轉(zhuǎn)單力積電謀新局
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?近期,納微半導(dǎo)體宣布將與力積電合作,共同推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 ? 納微半導(dǎo)體在公告中指出,力積電有著先進(jìn)的18...
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)
鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長,尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微...
通常來講,充電器輸出功率的增加,充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用,快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn),所以快充充電器比...
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈...
2025-07-11 標(biāo)簽:半橋場效應(yīng)晶體管GaN 115 0
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊支持兩個LMG3650R025 650V GaN FET,具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,...
準(zhǔn)諧振芯片廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、快充產(chǎn)品、USB-PD充電器等領(lǐng)域,特別是在高功率密度、低功耗的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色?。許多準(zhǔn)諧振芯片集成了驅(qū)動電路、保護(hù)電路...
方案介紹 | 東科24W集成GAN器件高PF低THD的恒壓LED方案分享
本文將為大家介紹以DK8924AN為核心的一款24WLED方案,具有恒壓精度高,待機(jī)功耗低,啟動迅速等特點(diǎn),適用于LED燈帶電源,智能照明等多種應(yīng)用場景...
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體 124 0
用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的GaN功率IC創(chuàng)新立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動高頻GaN 172 0
利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的系統(tǒng)成本立即下載
類別:電子資料 2025-01-23 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動GaN 92 0
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽:拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)GaNAHB 432 0
大連理工大學(xué):科研團(tuán)隊(duì)在氮化鎵高溫三維磁傳感芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展
近期,光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院黃火林教授團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)磁傳感器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,在國際上率先研制出可穩(wěn)定工作在1.9 K~673K極寬...
小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W
小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W小功率開關(guān)電源的效率是一個重要的設(shè)計(jì)指標(biāo),它決定了電源的功耗和發(fā)熱量。為了提高效率,...
2025-07-10 標(biāo)簽:開關(guān)電源GaN 124 0
重磅!英偉達(dá)800V高壓直流架構(gòu)革新AI數(shù)據(jù)中心,三大功率GaN大廠新品揭秘
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來在功率半導(dǎo)體市場備受關(guān)注,從消費(fèi)電子快充領(lǐng)域崛起,到如今的AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等...
瑞薩電子推出全新GaN FET,增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力, 適用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)應(yīng)用
基于成熟的SuperGaN技術(shù),650V第四代增強(qiáng)型產(chǎn)品 憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強(qiáng)勁性能 瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN ...
2025-07-09 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換AIGaN 145 0
瑞薩電子發(fā)布新一代650V GaN FET:用獨(dú)特D-MODE賦能高功率場景
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子和消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體 ——GaN(氮化鎵)正迎來前所未有的增長...
瑞薩電子推出全新GaN FET,增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力,適用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)應(yīng)用
可信賴、易于驅(qū)動的高壓氮化鎵,提供更高效率 2025年7月1日,中國北京訊- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布推出三款新型高...
2025-07-08 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)中心AI 191 0
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌,四季度可交付樣品
7 月 5 日消息,英飛凌德國當(dāng)?shù)貢r間 7 月 3 日宣布,其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌,首批樣品將于 2025 年...
PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)...
GaN代工格局生變?臺積電退場,納微轉(zhuǎn)單力積電謀新局
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?近期,納微半導(dǎo)體宣布將與力積電合作,共同推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 ? 納微半導(dǎo)體在公告中指出,力積電有著先進(jìn)的18...
炎熱的夏天,總是需要一些沖散酷暑的小電器,給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯,被稱為夏日“行走的小冰箱”,受到了許多上班族和戶外一族的喜愛,充電部分采...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
GS61008P-MR | 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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