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Texas Instruments LMG2650EVM-100子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments LMG2650EVM-100子卡評(píng)估模塊是一款快速簡(jiǎn)便的平臺(tái),用于評(píng)估采用任意半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的TI集成式GaN器件。該...
2025-07-08 標(biāo)簽:電路板評(píng)估模塊GaN器件 138 0
Texas Instruments LMG2656EVM-102子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments LMG2656EVM-102子卡評(píng)估模塊為評(píng)估任何半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的TI集成GaN器件提供了一個(gè)快速、簡(jiǎn)便的平臺(tái)。電路...
2025-07-08 標(biāo)簽:評(píng)估模塊GaN器件Instruments 134 0
Texas Instruments LMG2652EVM-101子卡評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments LMG2652EVM-101子卡評(píng)估模塊是一款快速簡(jiǎn)便的平臺(tái),用于評(píng)估采用任意半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的TI集成式GaN器件。該...
2025-07-08 標(biāo)簽:評(píng)估模塊GaN器件Instruments 142 0
從型號(hào)看實(shí)力!仁懋GaN器件命名規(guī)則全解析
型號(hào)背后的技術(shù)密碼仁懋氮化鎵(GaN)器件型號(hào)采用"三段式編碼規(guī)則",通過(guò)字母與數(shù)字組合精準(zhǔn)傳遞技術(shù)參數(shù)。示例型號(hào):MOTGE65R...
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動(dòng)的高效逆變器設(shè)計(jì):硅與GaN器件的比較分析
通過(guò)重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案,DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍,減少了體積和重量...
基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路,輸出電壓調(diào)節(jié)至 24 V,輸入電壓范圍為 380 V 至 400 V。此...
用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級(jí)評(píng)估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG341x 半橋板(如 LMG3410-HB-EVM)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過(guò)提供...
PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路,在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN ...
2025-02-25 標(biāo)簽:諧振轉(zhuǎn)換器偏置電源同步整流器 484 0
EVM用戶指南:LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評(píng)估模塊
LMG2650EVM-100 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái),用于評(píng)估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣的 6 個(gè)電源引腳...
LMG2640子卡評(píng)估模塊LMG2640EVM-090介紹
LMG2640 子卡評(píng)估模塊 (EVM) 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái),以評(píng)估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣的 6 ...
GaN器件的LLC諧振變換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)_馬煥立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-08 標(biāo)簽:LLC諧振變換器GaN器件 1286 0
BM6GD11BFJ-LB羅姆首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC開始量產(chǎn)
? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“ BM6GD11BFJ-...
2025-06-04 標(biāo)簽:Rohm柵極驅(qū)動(dòng)器羅姆半導(dǎo)體 5492 0
氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)革新!
電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)師致力于通過(guò)提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求,使電動(dòng)汽車更輕量化、自動(dòng)化,并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級(jí)功率器件在功率轉(zhuǎn)換、...
2025-03-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車GaN器件氮化鎵技術(shù) 556 0
泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作推進(jìn)1700V GaN器件
近日,泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展,雙方共同對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測(cè)試與評(píng)估,取得了令...
2025-01-20 標(biāo)簽:測(cè)試設(shè)備泰克科技GaN器件 639 0
京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇
3月24日,SEMICON China 2024展會(huì)在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇,京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱...
2024-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體華燦光電 919 0
Innergie的AC適配器通過(guò)搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co,Ltd(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)的650V GaN器件(EcoGaN),被臺(tái)達(dá)電子(Delta Electronics,I...
Tagore Tech和Inventchip聯(lián)合開發(fā)一款500W電源參考設(shè)計(jì)解決方案
Tagore Technology 與 Inventchip Technology(上海瞻芯電子科技有限公司,簡(jiǎn)稱:瞻芯電子)共同參加業(yè)界知名的2024...
2024-02-29 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)控制器PFC 1190 0
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)
近年來(lái),SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問(wèn)題依然存在。
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器晶體管 1597 0
NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片
DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度,內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管,邏輯控制電...
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