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MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。
MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。系統(tǒng)簡介編輯定義MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)?？s寫Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金屬有機化合物化學氣相沉淀）。原理MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓（10-100Torr）下通H2的冷壁石英（不銹鋼）反應(yīng)室中進行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座（襯底基片在石墨基座上方），H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū)。
MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。系統(tǒng)簡介編輯定義MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)?？s寫Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金屬有機化合物化學氣相沉淀）。原理MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓（10-100Torr）下通H2的冷壁石英（不銹鋼）反應(yīng)室中進行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座（襯底基片在石墨基座上方），H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū)。
系統(tǒng)概況編輯組成因為MOCVD生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質(zhì)，并且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質(zhì)材料。因此在MOCVD系統(tǒng)的設(shè)計思想上，通常要考慮系統(tǒng)密封性，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統(tǒng)要緊湊等。不同廠家和研究者所產(chǎn)生或組裝的MOCVD設(shè)備是不同的。 一般由 源供給系統(tǒng) 、氣體輸運和流量控制系統(tǒng)、反應(yīng)室及溫度控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全防護報警系統(tǒng)、自動操作及電控系統(tǒng)。【源供給系統(tǒng)】包括Ⅲ族金屬有機化合物、V族氫化物及摻雜源的供給。金屬有機化合物裝在特制的不銹剛的鼓泡器中，由通入的高純H2攜帶輸運到反應(yīng)室。為了保證金屬有機化合物有恒定的蒸汽壓，源瓶置入電子恒溫器中，溫度控制精度可達0.2℃以下。氫化物一般是經(jīng)高純H2稀釋到濃度5%一10%后，裝入鋼瓶中，使用時再用高純H2稀釋到所需濃度后，輸運到反應(yīng)室。摻雜源有兩類，一類是金屬有機化合物，另一類是氫化物，其輸運方法分別與金屬有機化合物源和氫化物源的輸運相同?！練怏w輸運系統(tǒng)】氣體的輸運管都是不銹鋼管道。為了防止存儲效應(yīng)，管內(nèi)進行了電解拋光。管道的接頭用氫弧焊或VCR及Swagelok方式連接，并進行正壓檢漏及Snoop液體或He泄漏檢測，保證反應(yīng)系統(tǒng)無泄漏是MOCVD設(shè)備組裝的關(guān)鍵之一。流量是由不同量程、響應(yīng)時間快、精度高的質(zhì)量流量計和電磁閥、氣動閥等來實現(xiàn)。在真空系統(tǒng)與反應(yīng)室之間設(shè)有過濾器，以防油污或其它顆粒倒吸到反應(yīng)室中。為了迅速變化反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)氣體，而且不引起反應(yīng)室內(nèi)壓力的變化，設(shè)置“run”和“vent，，管道?！痉磻?yīng)室和加熱系統(tǒng)】反應(yīng)室是由石英管和石墨基座組成。為了生長組分均勻、超薄層、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料，各生產(chǎn)廠家和研究者在反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的設(shè)計上下了很大功夫，設(shè)計出了不同結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室。石墨基座是由高純石墨制成，并包裹SIC層。加熱多采用高頻感應(yīng)加熱，少數(shù)是輻射加熱。由熱電偶和溫度控制器來控制溫度，一般溫度控制精度可達到0.2℃或更低?！疚矚馓幚硐到y(tǒng)】反應(yīng)氣體經(jīng)反應(yīng)室后大部分熱分解，但還有部分尚未完全分解，因此尾氣不能直接排放到大氣中，必須先進行處理，處理方法主要有高溫熱解爐再一次熱分解，再用硅油或高錳酸鉀溶液處理;也可以把尾氣直接通入裝有H2SO4+H2O及裝有NaOH溶液的吸濾瓶處理;也有的把尾氣通入固體吸附劑中吸附處理，以及用水淋洗尾氣等。【安全保護及報警系統(tǒng)】為了安全，一般的MOCVD系統(tǒng)還備有高純從旁路系統(tǒng)，在斷電或其它原因引起的不能正常工作時，通入純N2保護生長的片子或系統(tǒng)內(nèi)的清潔。在停止生長期間也有常通高純N2保護系統(tǒng)?！臼謩雍妥詣涌刂葡到y(tǒng)】一般MOCVD設(shè)備都具有手動和微機自動控制操作兩種功能。在控制系統(tǒng)面板上設(shè)有閥門開關(guān)、各個管路氣體流量、溫度的設(shè)定及數(shù)字顯示，如有問題會自動報警，是操作者能及時了解設(shè)備運轉(zhuǎn)的情況。此外，MOCVD設(shè)備一般都設(shè)在具有強排風的工作室內(nèi)。優(yōu)點1 適用范圍廣泛，幾乎可以生長所有化合物及合金半導(dǎo)體;2 非常適合于生長各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料;3 可以生長超薄外延層，并能獲得很陡的界面過渡;4 生長易于控制;5 可以生長純度很高的材料;6 外延層大面積均勻性良好;7 可以進行大規(guī)模生產(chǎn)。
國內(nèi)外發(fā)展編輯中國MOCVD系統(tǒng)發(fā)展2012年12月12號，中國首臺具有世界先進水平的大型國產(chǎn)MOCVD設(shè)備發(fā)運慶典在張江高新區(qū)核心園舉行。作為LED芯片生產(chǎn)過程中最為關(guān)鍵的設(shè)備，MOCVD的核心技術(shù)長期被歐美企業(yè)所壟斷，嚴重制約了中國LED產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。中晟光電設(shè)備上海有限公司于2012年1月18日成功實現(xiàn)了擁有自主創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)的具有世界先進水平的大型國產(chǎn)MOCVD設(shè)備下線，僅用了10個月時間，又完成了工藝的開發(fā)和設(shè)備進一步的改進優(yōu)化，完成了設(shè)備產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)必備條件與設(shè)施的建立；在此基礎(chǔ)上又完成了4家客戶的多次實地考察，親臨操作設(shè)備和驗證各項工藝?？蛻舫浞挚隙酥嘘稍O(shè)備的技術(shù)方向和設(shè)計上的世界先進性，也對設(shè)備用于大規(guī)模生產(chǎn)提出了進一步改進的建設(shè)性要求。使該設(shè)備同時具有目前世界上最高的系統(tǒng)產(chǎn)能、最低的外延生產(chǎn)成本、良好的波長均勻性、大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的各項關(guān)鍵性能等4項核心的差異競爭力。這次我國首臺具有世界先進水平的大型國產(chǎn)MOCVD設(shè)備成功發(fā)運，不僅標志著在實現(xiàn)中國大型MOCVD設(shè)備國產(chǎn)化戰(zhàn)略目標的征途上，中晟邁開了具有里程碑意義的一步，而且充分體現(xiàn)了中國有能力在高端裝備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式的發(fā)展。國外MOCVD系統(tǒng)發(fā)展隨著化合物半導(dǎo)體器件（如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN藍光LED）市場的不斷擴大，MOCVD系統(tǒng)的需求量不斷增長。國際上實力最為雄厚的MOCVD系統(tǒng)制造商有：德國Aixtron公司、美國的Emcore公司（其MOCVD已被Veeco兼并）、英國的Thomass~（1999年被Aixtron兼并）等。因為MOCVD系統(tǒng)最關(guān)鍵的問題就是保證材料生長的均勻性和重復(fù)性，因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。Aixtron采用行星反應(yīng)（Planetary Reactor），Emcore采用TurboDisc反應(yīng)室（該業(yè)務(wù)己出售給Veeco公司）、Thomas Swan（該公司于2003年2月份被Aixtron兼并）采用 Closed Coupled Showerhead（CCS）反應(yīng)室。國內(nèi)擁有的進口MOCVD系統(tǒng)700臺左右，其中 Aixtron MOCVD系統(tǒng)和Emcore MOCVD系統(tǒng)占絕大多數(shù)，有少量的 Thomas Swan MOCVD系統(tǒng)、法國ASM MOCVD系統(tǒng)和日本RIPPON SANSO MOCVD系統(tǒng)，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。
同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
固態(tài)升華法（Sublimation） 固態(tài)前驅(qū)體在加熱容器中被加熱至其升華點，從固態(tài)直接轉(zhuǎn)化為氣態(tài)。升華后的前驅(qū)體以氣態(tài)形式通過載氣輸送到反應(yīng)室即可...
一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單...
通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
什么是Micro-LED？Micro-LED的顯示原理是什么？
Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱作微發(fā)光二極體，也可以寫作μLED
BluGlass通過RPCVD技術(shù)減少GaN膜生長雜質(zhì)
澳大利亞的BluGlass公司聲稱使用他們的低溫遠程等離子體化學氣相沉積（RPCVD）技術(shù)可以產(chǎn)生理想純度的氮化鎵（GaN）。該公司說，他們的RPCVD...
天龍光電首臺MOCVD設(shè)備的交貨進展一直備受業(yè)內(nèi)關(guān)注。公司將在這個月底發(fā)貨給客戶，并將于下個月在用戶端開始設(shè)備安裝、調(diào)試。
隨著LED照明市場的起飛，加上中國政府大力推行節(jié)能補助，帶動陸廠大舉擴增LED上游晶粒產(chǎn)能，自2011年起陸廠約新增420臺MOCVD機臺，總機數(shù)達72...
2012-07-04 標簽：LED照明LED產(chǎn)業(yè)MOCVD 922 0
基于PLC的MOCVD控制系統(tǒng)設(shè)計立即下載
類別：PLC技術(shù)論文 2010-07-20 標簽：PLCMOCVD
近日，第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議于湖北恩施成功落下帷幕。中微公司MOCVD技術(shù)團隊受邀出席了此次盛會并在《材料生長、表征與裝備》技術(shù)論壇發(fā)表主題演講...
中微公司持續(xù)發(fā)力半導(dǎo)體設(shè)備，5-10年內(nèi)目標占據(jù)50%-60%集成電路市場
其中，刻蝕設(shè)備銷售額約47.03億元，同比增長49.43%；而MOCVD設(shè)備銷售額則約4.62億元，同比下滑33.95%。自2012年以來，中微公司的年...
2024-05-23 標簽：MOCVD刻蝕設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備 899 0
中國上海，2024年2月4日—— 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“本公司”）注意到，2024年1月31日（美國時間，下同）美國國防部根據(jù)《...
半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN
蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使...
Micro LED業(yè)務(wù)增長顯著，IQE去年營收超10億
近年，IQE開始涉足Micro LED領(lǐng)域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長技術(shù)儲備及規(guī)模化生產(chǎn)的能力，可滿足制備微米級高亮Micro LED的需求。
華光光電兩項新產(chǎn)品被認定為國際領(lǐng)先和國內(nèi)領(lǐng)先水平
近日，山東華光光電子股份有限公司發(fā)布2款新產(chǎn)品，經(jīng)山東電子學會組織專家進行鑒定，被評價為國際領(lǐng)先和國內(nèi)領(lǐng)先水平，進一步完善了公司的產(chǎn)品種類布局，拓展了新...
中微公司喜迎全球第500臺MOCVD設(shè)備付運里程碑
上海2022年10月25日 /美通社/ -- 10月25日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱"中微公司"，上交所股票代碼...
第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...
在LED顯示屏領(lǐng)域，企業(yè)想要獲得盈利就要保持20%以上的毛利潤。行業(yè)利潤走低，降低LED的使用成本成為了企業(yè)獲利的重要方式。 LED器件的制造成本相對硅...
中微公司2022年第一季度收入9.49億元同比增長57.31%
? ? ? 中微公司2022年 第一季度財務(wù)報告 AMEC 2022 Q1 Report 中微公司于4月28日發(fā)布2022年第一季度財務(wù)報告，摘要如下：...
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