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      標(biāo)簽　>　MOS

      MOS

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      MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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      MOS簡(jiǎn)介

      　　MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

      　　一般是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。

      　　場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

      MOS百科

      　　MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

      　　一般是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。

      　　場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管，屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

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      mos知識(shí)

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      mos技術(shù)

      淺談辰達(dá)MOSFET在USB PD快充電源中的應(yīng)用挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)

      淺談辰達(dá)MOSFET在USB PD快充電源中的應(yīng)用挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)

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      2025-07-08 標(biāo)簽：MOSFETMOSUSB PD 78 0

      MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

      MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

      在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶(hù)理解這...

      2025-07-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBTMOS 283 0

      并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡

      并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡

      在現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)中，MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中，如電動(dòng)汽車(chē)、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過(guò)并聯(lián)多個(gè)MOSFET，可以大幅提...

      2025-07-04 標(biāo)簽：并聯(lián)MOSFETMOS 122 0

      同步整流MOSFET的設(shè)計(jì)要點(diǎn)與效率提升技巧

      同步整流MOSFET的設(shè)計(jì)要點(diǎn)與效率提升技巧

      在現(xiàn)代高效率電源系統(tǒng)中，同步整流技術(shù)已成為主流選擇，尤其是在DC-DC變換器、USB快充適配器、服務(wù)器電源和車(chē)載電源等場(chǎng)景中。同步整流相比傳統(tǒng)的肖特基二...

      2025-07-03 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS 117 0

      辰達(dá)MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用與優(yōu)化策略

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      一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用開(kāi)關(guān)功能DC-DC變換器的核心工作原理是通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFE...

      2025-07-02 標(biāo)簽：MOSFET變換器MOS 144 0

      從開(kāi)關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)

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      一、MOSFET開(kāi)關(guān)速度的定義與影響因素開(kāi)關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通（開(kāi)）和關(guān)斷（關(guān)）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時(shí)間（tr）、下降時(shí)間（tf）和開(kāi)關(guān)...

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      源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)概述

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      源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE（源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)）引入了一個(gè)淺的...

      2025-05-27 標(biāo)簽：工藝制造工藝MOS 252 0

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      為了有效抑制短溝道效應(yīng)，提高柵控能力，隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低，就需要相對(duì)應(yīng)的提高柵電極電容。提高電容的一個(gè)辦法是通過(guò)降低柵氧化層的厚度來(lái)達(dá)到這一目...

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      LM5110系列 具有 4V UVLO、專(zhuān)用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      LM5110系列 具有 4V UVLO、專(zhuān)用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      2025-05-21 標(biāo)簽：晶體管MOS輸出電流 364 0

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      圓滿(mǎn)落幕 | 江西薩瑞微電子第 27 屆中國(guó)國(guó)際電機(jī)博覽會(huì)之行收獲滿(mǎn)滿(mǎn)

      圓滿(mǎn)落幕 | 江西薩瑞微電子第 27 屆中國(guó)國(guó)際電機(jī)博覽會(huì)之行收獲滿(mǎn)滿(mǎn)

      01展會(huì)圓滿(mǎn)結(jié)束Exhibitionends本屆展會(huì)匯聚了近千家全球電機(jī)行業(yè)及相關(guān)領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)，展示了全產(chǎn)業(yè)鏈的前沿產(chǎn)品與技術(shù)，吸引了數(shù)萬(wàn)專(zhuān)業(yè)買(mǎi)家和觀(guān)...

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      新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

      新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET

      新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性?xún)r(jià)比樹(shù)立了...

      2025-07-04 標(biāo)簽：MOSFETMOS 273 0

      亞成微兩款智能高側(cè)開(kāi)關(guān)產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)認(rèn)證

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      亞成微兩款產(chǎn)品——智能高側(cè)開(kāi)關(guān)RM77100DD與MOS預(yù)驅(qū)RM7515KSF，成功通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)認(rèn)證。截至目前，亞成微已累計(jì)有22款產(chǎn)品成功...

      2025-07-04 標(biāo)簽：MOS智能高側(cè)開(kāi)關(guān)亞成微電子 295 0

      高溫IC設(shè)計(jì)必懂基礎(chǔ)知識(shí)：高結(jié)溫帶來(lái)的5大挑戰(zhàn)

      高溫IC設(shè)計(jì)必懂基礎(chǔ)知識(shí)：高結(jié)溫帶來(lái)的5大挑戰(zhàn)

      隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，商業(yè)、工業(yè)及汽車(chē)等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C）的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會(huì)嚴(yán)重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)手...

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      仁懋TOLT封裝MOS——專(zhuān)為大功率而生

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      防反接電路設(shè)計(jì)淺談

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      2025-05-30 標(biāo)簽：MOS電池降壓芯片 444 0

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      Hi8101-內(nèi)置MOS，最高轉(zhuǎn)換效率>95%

      Hi8101的核心優(yōu)勢(shì)在于其內(nèi)置的MOSFET結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計(jì)顯著降低了系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。傳統(tǒng)的外置MOS方案需要額外的驅(qū)動(dòng)電路和布局空間，而Hi...

      2025-05-21 標(biāo)簽：MOS電源管理芯片 312 0

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        LM2596
        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)具有很好的線(xiàn)性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的，在2009年10月1日天安門(mén)廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
      • 光模塊
        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō)，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
      • K60
        K60
        +關(guān)注
      • STM32單片機(jī)
        STM32單片機(jī)
        +關(guān)注
        STM32系列基于專(zhuān)為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專(zhuān)家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
      • 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
        步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
        +關(guān)注
        步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱(chēng)為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
      • CD4046
        CD4046
        +關(guān)注
        cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線(xiàn)發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
      • COMSOL
        COMSOL
        +關(guān)注
        COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
      • 加速度傳感器
        加速度傳感器
        +關(guān)注
        加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
      • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        +關(guān)注
      • 服務(wù)機(jī)器人
        服務(wù)機(jī)器人
        +關(guān)注
        服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
      • 四軸飛行器
        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱(chēng)四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱(chēng)四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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