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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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ICL7611 1.4MHz、低功耗CMOS運(yùn)算放大器應(yīng)用筆記
ICL761X 系列是 CMOS 運(yùn)算放大器系列。這些器件為設(shè)計(jì)人員提供了在低電源電壓和可選靜態(tài)電流下的高性能作,是需要超低輸入電流和低功耗時(shí)的理想設(shè)計(jì)...
2025-02-25 標(biāo)簽:CMOS放大器運(yùn)算放大器 589 0
高速、高分辨率、大面積成像應(yīng)用的理想選擇——Falcon4-CLHS工業(yè)相機(jī)
在機(jī)器視覺高性能成像應(yīng)用領(lǐng)域,TeledyneDalsa的Falcon4-CLHS工業(yè)相機(jī)系列無疑是理想之選。它運(yùn)用了TeledyneImaging的先...
2025-02-21 標(biāo)簽:CMOS機(jī)器視覺工業(yè)相機(jī) 661 0
? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本...
中微愛芯CMOS電壓比較器AiP331LV/AiP393LV介紹
AiP331LV/AiP393LV是一款CMOS電壓比較器,它包含一個(gè)/兩個(gè)獨(dú)立的高精度比較器運(yùn)算放大器,可以由單電源或雙電源供電。這款芯片可實(shí)現(xiàn)軌到軌...
2025-02-12 標(biāo)簽:CMOS運(yùn)算放大器比較器 634 0
CMOS邏輯IC使用時(shí)如何應(yīng)對(duì)電路中的危害、亞穩(wěn)態(tài)、鎖存以及ESD—東芝半導(dǎo)體帶你深入電子設(shè)計(jì)
提要 本期課堂,我們將繼續(xù)深入CMOS邏輯IC的使用注意事項(xiàng),介紹如何應(yīng)對(duì)電路中的危害、亞穩(wěn)態(tài)、鎖存以及ESD防護(hù)等問題。 Q 危害的問題 如果是由OR...
CMOS邏輯IC應(yīng)用中的噪聲問題和解決對(duì)策
前面兩期的芝識(shí)課堂,我們介紹了大量關(guān)于CMOS邏輯IC應(yīng)用的一些細(xì)節(jié)事項(xiàng),本期課堂讓我們進(jìn)入實(shí)際的應(yīng)用案例,解決電路設(shè)計(jì)中的噪聲問題。
2025-01-13 標(biāo)簽:CMOS開關(guān)噪聲邏輯IC 1357 0
?閂鎖效應(yīng)(Latch-up)是?CMOS工藝中一種寄生效應(yīng),通常發(fā)生在CMOS電路中,當(dāng)輸入電流過大時(shí),內(nèi)部電流急劇增加,可能導(dǎo)致電路失效甚至燒毀芯片...
在上期的芝識(shí)課堂中,我們介紹了一部分CMOS邏輯IC設(shè)計(jì)的常見問題以及處理辦法。本期課堂將繼續(xù)探討如何優(yōu)化CMOS邏輯IC的性能,特別是負(fù)載電容連接技巧...
CMOS可用于邏輯和存儲(chǔ)芯片上,它們已成為IC市場(chǎng)的主流。 CMSO電路: 下圖顯示了一個(gè)CMOS反相器電路。 從圖中可以看出它由兩個(gè)晶體管組成,一個(gè)為...
2024-12-20 標(biāo)簽:CMOS反相器半導(dǎo)體芯片 1422 0
利用安森美Treo平臺(tái)優(yōu)化高速邏輯電平轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
在當(dāng)今技術(shù)驅(qū)動(dòng)的時(shí)代,電子設(shè)備的互操作性至關(guān)重要。從汽車 ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng))到數(shù)據(jù)中心和工業(yè)自動(dòng)化,現(xiàn)代電子電路必須能夠支持各種組件之間的高速通信。
2024-12-16 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器安森美 675 0
當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢(shì),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可...
短溝道二維晶體管中的摻雜誘導(dǎo)輔助隧穿效應(yīng)
短溝道效應(yīng)嚴(yán)重制約了硅基晶體管尺寸的進(jìn)一步縮小,限制了其在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路中的應(yīng)用。開發(fā)新材料和新技術(shù)對(duì)于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。
行業(yè)知識(shí) | CMOS激光位移傳感器如何實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量?
明治的CMOS激光位移傳感器是一種高精度、高靈敏度的位移傳感器,通過結(jié)合先進(jìn)的光學(xué)測(cè)量原理、高頻率激光脈沖發(fā)射、高靈敏度的光電轉(zhuǎn)換器件、創(chuàng)新的算法和信號(hào)...
CMOS 工藝平臺(tái)的金屬方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)包含該平臺(tái)的所有金屬層,例如如果該平臺(tái)使用五層金屬層,那么金屬方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)就有第一層金屬(M1)方塊電阻...
CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方塊電阻和金屬方塊電阻,它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術(shù)平...
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