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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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短溝道二維晶體管中的摻雜誘導(dǎo)輔助隧穿效應(yīng)

短溝道效應(yīng)嚴(yán)重制約了硅基晶體管尺寸的進(jìn)一步縮小，限制了其在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路中的應(yīng)用。開發(fā)新材料和新技術(shù)對(duì)于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。

2024-12-06 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 半導(dǎo)體 1044 0

詳解電容的測(cè)試條件

CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的電容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。PIP 主要應(yīng)用在0.35μm及以上的亞微米及微米工藝...

2024-12-04 標(biāo)簽：CMOS 電容工藝 1266 0

行業(yè)知識(shí) | CMOS激光位移傳感器如何實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量?

明治的CMOS激光位移傳感器是一種高精度、高靈敏度的位移傳感器，通過(guò)結(jié)合先進(jìn)的光學(xué)測(cè)量原理、高頻率激光脈沖發(fā)射、高靈敏度的光電轉(zhuǎn)換器件、創(chuàng)新的算法和信號(hào)...

2024-12-04 標(biāo)簽：CMOS 激光位移傳感器 1210 0

金屬方塊電阻的測(cè)試條件

CMOS 工藝平臺(tái)的金屬方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)包含該平臺(tái)的所有金屬層，例如如果該平臺(tái)使用五層金屬層，那么金屬方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)就有第一層金屬（M1）方塊電阻...

2024-12-03 標(biāo)簽：CMOS 電阻測(cè)試 764 0

Poly方塊電阻的測(cè)試條件

CMOS工藝平臺(tái)的Poly 方塊電阻有四種類型的電阻，它們分別是n型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、P型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、n 型非金屬硅化...

2024-11-29 標(biāo)簽：CMOS 電阻測(cè)試 1719 0

簡(jiǎn)述方塊電阻的測(cè)試方法

CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方塊電阻和金屬方塊電阻，它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術(shù)平...

2024-11-27 標(biāo)簽：CMOS 電阻半導(dǎo)體 1601 0

淺談WAT測(cè)試類型

雖然 WAT測(cè)試類型非常多，不過(guò)業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類型都有一個(gè)明確的要求，就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所有的有源器件和無(wú)源器件的典型尺寸。芯片代工廠會(huì)依據(jù)這...

2024-11-27 標(biāo)簽：CMOS 測(cè)試工藝 1473 0

采用背照式技術(shù)的新型科學(xué) CMOS 相機(jī)

圖 1.典型的前照式 CCD/sCMOS 傳感器(左)在外觀上是反射性的，而背照式傳感器(右)則顯得較暗。概述微光科學(xué)相機(jī)是從量子成像到天文學(xué)等許多...

2024-11-26 標(biāo)簽：CMOS 光譜 959 0

由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門的最基本單元CMOS介紹

介紹了芯片最基本的單元——MOSFET，和由MOSFET構(gòu)成的芯片邏輯門的最基本單元——CMOS。?? MOSFET 芯片最底層的原理二進(jìn)制運(yùn)算，所以我...

2024-11-22 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 918 0

CMOS逆變器的功耗介紹

CMOS 反相器的發(fā)展為集成電路提供了基本功能，是技術(shù)史上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。該邏輯電路突出了 CMOS 獨(dú)特的電氣特性，非常適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)。 C...

2024-11-15 標(biāo)簽：CMOS 反相器逆變器 789 0

基于AR1335和i.MX8MP的視覺方案

在現(xiàn)代科技的推動(dòng)下，視覺技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。你是否曾想過(guò)，如何在低光環(huán)境下依然能捕捉到清晰、細(xì)膩的圖像？本文將為你揭示基于AR1335和i....

2024-11-13 標(biāo)簽：CMOS NXP 圖像傳感器 648 0

低噪聲、精密CMOS雙路放大器-CBM8656

CBM8656/CBM8655低噪聲高精度放大器，提升音頻與無(wú)線MIC表現(xiàn)BM8655/CBM8656是業(yè)界噪音最低的精密CMOS放大器。它們可以實(shí)現(xiàn)高...

2024-11-13 標(biāo)簽：CMOS 放大器無(wú)線 987 0

14位,3.3V CMOS直接數(shù)字合成器-CBM99D10

CBM99D10BQ：1G高精度DDS，助力北斗信號(hào)接收CBM99D10BQ是一款內(nèi)置14位DAC的直接數(shù)字頻率合成器（DDS），支持高達(dá)1GSPS采樣...

2024-11-11 標(biāo)簽：CMOS DDS 數(shù)字合成器 1629 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)邏輯電路的用途

在數(shù)字電子的世界里，每一個(gè)決策、每一條指令、每一次數(shù)據(jù)處理，都離不開CMOS邏輯IC的掌控。CMOS邏輯IC大致包括兩種邏輯，即組合邏輯和時(shí)序邏輯。在電...

2024-11-01 標(biāo)簽：CMOS 邏輯電路觸發(fā)器 704 0

運(yùn)算放大器積分電路設(shè)計(jì)

在運(yùn)算放大器積分器電路中，電容器插入反饋環(huán)路中，并在反相輸入端與R1一起產(chǎn)生一個(gè)RC時(shí)間常數(shù)。

2024-10-29 標(biāo)簽：CMOS 運(yùn)算放大器積分電路 4144 0

中微愛芯兩路模擬開關(guān)AiP74CBTLV3306介紹

AiP74CBTLV3306是一款兩路軌到軌模擬開關(guān)，2.3V～3.6V的電源供電，采用CMOS低功耗工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速切換的特點(diǎn)，支持雙向傳輸...

2024-10-23 標(biāo)簽：CMOS 模擬開關(guān)低功耗 737 0

感光元件ccd和cmos哪個(gè)好

CCD與CMOS感光元件概述 1. 基本原理 CCD（Charge-Coupled Device）： CCD是一種半導(dǎo)體器件，能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)...

2024-10-12 標(biāo)簽：CMOS CCD 電信號(hào) 2392 0

什么是CMOS電平接口設(shè)計(jì)時(shí)注意事項(xiàng)有哪些

CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）電平接口，作為電子電路設(shè)計(jì)中的一種重要接口類型，其獨(dú)特的半導(dǎo)體特性和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景使得我們對(duì)其并不陌生。下面將為大家介紹...

2024-09-30 標(biāo)簽：CMOS 接口 TTL 991 0

抑制靜電干擾的方法有哪些

在現(xiàn)代電子技術(shù)中，靜電的防護(hù)是確保電子元件正常工作和延長(zhǎng)設(shè)備壽命的關(guān)鍵措施。靜電不僅會(huì)導(dǎo)致電子元件的損壞，還可能對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)造成干擾，甚至引發(fā)數(shù)據(jù)丟失...

2024-09-13 標(biāo)簽：CMOS 抑制靜電干擾 1765 0

電流倒灌的原因及解決方法

在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，電流倒灌現(xiàn)象是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題，尤其是在使用CMOS集成電路時(shí)。 D1二極管在大多數(shù)CMOS集成電路中扮演著雙重角色：一方面，它作為...

2024-09-13 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 電流 2803 0

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貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商，分銷1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù)，為設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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