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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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關(guān)于DDR的案例,高速先生已經(jīng)分享過(guò)很多期的文章了,有通過(guò)修改主控芯片的驅(qū)動(dòng)解決問(wèn)題的,有通過(guò)修改PCB走線的拓?fù)鋪?lái)解決問(wèn)題的,也有通過(guò)調(diào)節(jié)端接電阻來(lái)解...
電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大,所以PCB設(shè)計(jì)時(shí),如果有一個(gè)完整的電源平...
LPDDR5X:重要性與日俱增的移動(dòng)存儲(chǔ)器
自 2000 年代中期獲得正式批準(zhǔn)以來(lái),低功耗 DDR(LPDDR)一直是驅(qū)動(dòng)對(duì)面積和功率敏感的移動(dòng)設(shè)備上更復(fù)雜用例的基石。畢竟退回 2007 年,智能...
DDR 驗(yàn)證是任何 SoC 中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一,因?yàn)樗婕拔挥?DUT 內(nèi)部的控制器和位于板載 DUT 外部的外部 DDR 存儲(chǔ)器。在這里,我們...
使用高級(jí)驗(yàn)證與內(nèi)存技術(shù)保持同步
在存儲(chǔ)器密度低、性能緩慢且需要昂貴的硅空間的時(shí)代。然后我快進(jìn)到未來(lái),當(dāng)內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到支持巨大的密度,超快的速度,同時(shí)保持低功耗,所有這些都在非常小的...
在這篇博客中,我將展示另一個(gè)功能,它使Verdi Protocol Analyzer成為調(diào)試內(nèi)存協(xié)議問(wèn)題和驗(yàn)證正確系統(tǒng)行為的首選工具。此外,該工具還可用...
講解全志國(guó)產(chǎn)處理器T113-i與T113-S3的不同之處!
而T113-S3在不加散熱片情況下,工作溫度范圍較小(-25℃ ~ +75℃),并非真工業(yè)級(jí)。即使加了散熱片,T113-S3工作溫度范圍(-25℃ ~ ...
DDR PHY 接口 (DFI) 用于包括智能手機(jī)在內(nèi)的多種消費(fèi)電子設(shè)備。DFI 是一種接口協(xié)議,用于定義在 DRAM 設(shè)備之間以及 MC(微控制器)和...
下一代內(nèi)存技術(shù):準(zhǔn)備好迎接驗(yàn)證挑戰(zhàn)了嗎
NVDIMM:又名非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊。這是一個(gè)RAM DIMM,在電源關(guān)閉時(shí)不會(huì)丟失其數(shù)據(jù)。這兩種強(qiáng)大技術(shù)的結(jié)合為提高應(yīng)用程序性能、數(shù)據(jù)安全性和...
2023-05-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器DDR計(jì)算機(jī) 1101 0
再見(jiàn)瓶頸 – 自動(dòng)SoC性能驗(yàn)證就在這里
SoC 性能是市場(chǎng)上的關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),協(xié)議 IP 和互連的選擇和配置旨在最大限度地提高所述性能。一個(gè)典型的例子是使用 HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)和內(nèi)存控制器...
Toggle2NAND 在沒(méi)有時(shí)鐘的情況下使用雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR),但它與傳統(tǒng) SDR NAND 中支持的功能和命令兼容。在提供高數(shù)據(jù)傳輸速率的同時(shí)...
NVDIMM – 內(nèi)存和存儲(chǔ)的完美結(jié)合
與 DDR-DIMM 相比,SSD/HDD 提供對(duì)服務(wù)器的訪問(wèn)速度要慢得多,并且會(huì)造成性能差距。為了克服固態(tài)硬盤(pán)/硬盤(pán)和 DDR-DIMM 之間的這種性...
Power Down,斷電。斷電不一定非要把芯片的外部供電給斷掉,如果芯片自帶PD腳,直接拉一下PD腳,也相當(dāng)于斷電了。攝像頭上會(huì)用到這根線,因?yàn)橐话愕?..
電路原理圖經(jīng)典常見(jiàn)的英文縮寫(xiě)
時(shí)鐘線容易干擾別人也容易被別人干擾,Layout的時(shí)候需要保護(hù)好。對(duì)于數(shù)字傳輸總線的時(shí)鐘,一般都標(biāo)稱為xxx_xCLK,如SPI_CLK、SDIO_CL...
什么是DRAM?DRAM存儲(chǔ)單元電路讀寫(xiě)原理
內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例,每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。
之前的文章講述的都是阻性終端負(fù)載的反射。其實(shí)在負(fù)載(芯片管腳)上也有輸入電容存在,通常都是幾個(gè)pf。如下Table 174是某顆LPDDR4的各個(gè)輸入b...
set_input_delay中-add_delay的作用簡(jiǎn)析
在默認(rèn)情況下,一個(gè)port只需要一個(gè)min和max的dealy值,如果我們?cè)O(shè)置兩次,那么第二次設(shè)置的值會(huì)覆蓋第一次的值:下面的第一行就無(wú)效了。
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