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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲(chǔ)器。
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FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)及使用
在我們的項(xiàng)目中,時(shí)常會(huì)有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲(chǔ)器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存...
2022-12-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 2589 0
鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)市場(chǎng)中占據(jù)了一席之地。然而,與任何技...
2024-09-29 標(biāo)簽:FlaShfram鐵電存儲(chǔ)器 2411 0
4Mb的容量、54MBps的速度……是的,它創(chuàng)造了新的最高紀(jì)錄!
富士通電子元器件近日宣布成功開(kāi)發(fā)具有4 Mbit記憶容量的、帶有高速Q(mào)SPI接口的全新FRAM產(chǎn)品MB85RQ4ML,此產(chǎn)品在同類競(jìng)品中擁有最高密度和最...
2017-03-27 標(biāo)簽:fram 2210 0
MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 標(biāo)簽:電容器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 2176 0
FM24xxx系列FRAM存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
雖然說(shuō)使用EEPROM保存參數(shù)很有效,但操作及使用次數(shù)均有一下限制。當(dāng)我們的一些參數(shù)需要不定時(shí)修改或存儲(chǔ)時(shí),使用FRAM就更為方便一點(diǎn)。這一節(jié)我們就來(lái)設(shè)...
2022-12-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器fram驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 2137 0
圓我“鐵電夢(mèng)”,關(guān)于FRAM網(wǎng)友有話說(shuō)!
近幾年,F(xiàn)RAM(鐵電存儲(chǔ)器)比較火,特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對(duì)FRAM技術(shù)的討論。這不,小編看到了一篇分享,是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得...
2017-03-24 標(biāo)簽:frammb85rc256v 2127 0
在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案
鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù),本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性,同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2012-10-08 標(biāo)簽:閃存FRAMRFID標(biāo)簽 2123 0
FRAM在醫(yī)療領(lǐng)域和智能電表中的應(yīng)用及發(fā)展
與傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比,F(xiàn)RAM的功耗要低很多,而且寫入速度更快。對(duì)于類似的寫入,F(xiàn)RAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時(shí)間是EE...
2017-03-29 標(biāo)簽:fram 1996 0
今天,像EEPROM和SRAM這些標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫(yī)療專家對(duì)助聽(tīng)器噪聲,或是需要更換所用設(shè)...
FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)串起關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一攬子解決方案
《華爾街日?qǐng)?bào)》前不久的一篇文章指出,近年來(lái)智能手機(jī)、PC、平板電腦等設(shè)備的進(jìn)化并沒(méi)有以往那么快速,不過(guò)它們正以新的方式推進(jìn)創(chuàng)新,硬件廠商更多針對(duì)特定任務(wù)...
FRAM中的讀取操作具有破壞性,因?yàn)樗枰袚Q極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初始讀取之后,讀取操作必須將極化恢復(fù)到其原始狀態(tài),這會(huì)增加讀取時(shí)間的周期。
應(yīng)用于MCU系統(tǒng)的FRAM技術(shù)
請(qǐng)注意,處理器內(nèi)部的專用硬件塊利用了一種稱為 ARM 信任區(qū)的技術(shù),該技術(shù)使用架構(gòu)分區(qū)將中斷、內(nèi)存映射區(qū)域甚至 I/O 映射區(qū)域分隔到指定的訪問(wèn)區(qū)域。
在高端醫(yī)療設(shè)備中,F(xiàn)RAM有著100%的應(yīng)用!
傳統(tǒng)的閃存和EEPROM等存儲(chǔ)器是利用電荷注入來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的,而FRAM是利用外部電場(chǎng)產(chǎn)生極化來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的,因此它與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比,不易α射線,x...
2017-03-28 標(biāo)簽:fram 1870 0
新一代存儲(chǔ)技術(shù)特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展介紹
目前具有突破性的存儲(chǔ)技術(shù)有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。
2016-04-22 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)FRAMMRAM 1779 0
FRAM的基本特點(diǎn)、存儲(chǔ)方式及在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用
存儲(chǔ)歷史數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器大家都比較容易選擇,目前大容量的Flash和U盤,很多廠商都能提供。最難的是汽車的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器比較難選擇,因?yàn)閷?shí)時(shí)數(shù)據(jù)比歷史數(shù)據(jù)...
FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取器)的特...
2017-03-28 標(biāo)簽:fram 1724 0
訪談:鐵電存儲(chǔ)器助富士通半導(dǎo)體拓展多領(lǐng)域應(yīng)用
在以往產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中,大量的數(shù)據(jù)采集對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)一直是件頭疼的事情。數(shù)據(jù)需要不斷地高速寫入,傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)如EERPOM、Flash的寫入壽命和讀寫速...
2017-03-29 標(biāo)簽:fram 1668 0
FRAM還可在大多數(shù)汽車子系統(tǒng)中用于非易失性數(shù)據(jù)記錄,如智能安全氣囊、穩(wěn)定控制、動(dòng)力傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、儀表盤儀表、電池管理、發(fā)動(dòng)機(jī)控制和娛樂(lè)信息節(jié)目應(yīng)用,且能夠...
物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的一個(gè)關(guān)鍵器件,很多人都沒(méi)有g(shù)et到的那些要點(diǎn)
月初,我們的高顏值男神級(jí)專家Eric在RFID大會(huì)上發(fā)表了據(jù)說(shuō)很高大上的主題演講——大容量RFID讓工業(yè)自動(dòng)化更智能。
2017-03-27 標(biāo)簽:rfid物聯(lián)網(wǎng)fram 1621 0
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