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標(biāo)簽 > gan器件
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對于工程師來說,設(shè)計 GaN PA 的第一步就是獲得半導(dǎo)體制造商的產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊 ;第二部就是查看 S 參數(shù)。PA 設(shè)計工程師還可以利用測得的負(fù)載牽引數(shù)據(jù)...
高效率當(dāng)然是一個優(yōu)點(diǎn),但有時“高”的說法并不準(zhǔn)確,例如:家用電子設(shè)備散發(fā)出“較高”的熱量,可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量,或許能從能源使用...
為什么GaN FET是LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計的最佳選擇
氮化鎵(GaN)器件以最小的尺寸提供了最佳的性能,提高了效率,并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET...
2021-03-31 標(biāo)簽:發(fā)動機(jī)混合動力車LLC轉(zhuǎn)換器 3506 0
深度探討GaN器件驅(qū)動電路并聯(lián)晶體管設(shè)計方案
在柵極關(guān)斷時,CGS和Con中的電荷將快速達(dá)到平衡。此處必須確保Con大于CGS,以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值,從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。
隨著氮化鎵器件性能的提高,人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后,氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。
2020-08-04 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率因數(shù)控制器GaN器件 1982 0
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固,因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用,集...
2019-11-18 標(biāo)簽:通信接口驅(qū)動設(shè)計GaN器件 6470 0
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