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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車的最優(yōu)解?
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱,但其固有的高開關(guān)損耗和較...
2025-07-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 278 0
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)
HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測(cè)試儀 一:IGBT功率器件測(cè)試儀主要特點(diǎn) 華科智源HUSTEC-1600A-MT...
飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在UPS中的應(yīng)用
在電路設(shè)計(jì)中的產(chǎn)品選型,必須要考慮如何在價(jià)格合理的范圍內(nèi)選擇性價(jià)比高的產(chǎn)品,但又能讓產(chǎn)品的性能做到極致。比如中等功率的UPS在選擇代換NCE75ED65...
2025年上半年,芯干線科技交出一份卓越的成績(jī)單:銷售額同比增長(zhǎng)265%,多行業(yè)、全產(chǎn)品線強(qiáng)勢(shì)爆發(fā)!
2025-07-07 標(biāo)簽:IGBTSiC移動(dòng)電源 286 0
IGBT功率半導(dǎo)體器件測(cè)試難點(diǎn)、主要測(cè)試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測(cè)方案有哪些?
IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)IG...
2025-07-03 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體器件 483 0
B3M020120H(SiC MOSFET)其替代IGBT單管的應(yīng)用價(jià)值分析
基于B3M020120H(SiC MOSFET)的技術(shù)參數(shù),以下是其替代IGBT單管的應(yīng)用價(jià)值分析,重點(diǎn)突出核心優(yōu)勢(shì)與潛在考量: 核心優(yōu)勢(shì) 高頻高效能 ...
一、IGBT的老化測(cè)試挑戰(zhàn) 1.1 老化現(xiàn)象及其影響 IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心器件,在長(zhǎng)期使用中不可避免地會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象。其性能衰變主要體現(xiàn)在開關(guān)...
2025-07-01 標(biāo)簽:IGBT 488 0
飛虹MOS管FHP140N08V在低壓不間斷電源的應(yīng)用
在UPS不間斷電源中,高效的電能轉(zhuǎn)換依賴于核心功率器件的精準(zhǔn)選型。MOS管與IGBT常應(yīng)用于系統(tǒng)的不同電壓段與功能模塊,而MOS管憑借其極低的導(dǎo)通電阻和...
揚(yáng)杰科技DGW80N120ATL1BQ IGBT模塊:高功率與溫度穩(wěn)定性的卓越表現(xiàn)
在電力電子領(lǐng)域,IGBT模塊的性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的DGW80N120ATL1BQ IGBT模塊以其1200V的高耐壓和8...
2025-06-30 標(biāo)簽:IGBT揚(yáng)杰科技 488 0
細(xì)數(shù)IGBT測(cè)試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測(cè)方案
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多,一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù):靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù),熱參數(shù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試,主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù),目前,主要采用雙脈沖測(cè)試方案...
2025-06-26 標(biāo)簽:IGBT 540 0
揚(yáng)杰科技DGW40N120CTLQ IGBT模塊:高性能與可靠性的完美結(jié)合
?在現(xiàn)代電力電子應(yīng)用中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為核心功率開關(guān)器件,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的DGW40N120CTL...
2025-06-26 標(biāo)簽:IGBT 471 0
安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點(diǎn)
隨著電氣化浪潮席卷全球,人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng),使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效...
IGBT指的是什么?工作原理、特性、測(cè)量關(guān)鍵參數(shù)?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱為? 絕緣柵雙極型晶體管 ?,是一種復(fù)合全控型功率半導(dǎo)體器件,兼具? ...
線上研討會(huì) @6/26 KEC:電力分立器件專家,IGBT應(yīng)用領(lǐng)域深度解析
在電子電路設(shè)計(jì)中,如何選擇合適的分立半導(dǎo)體器件?如何充分發(fā)揮IGBT的性能?這些問題是否困擾著你?作為一家擁有56年歷史的專業(yè)公司,KEC以其專注于電力...
招生通知|第二期 IGBT模塊:技術(shù)、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用培訓(xùn)班
對(duì)于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來(lái)說,功率半導(dǎo)體,包括二極管和三極管,雖然其基本功能看似簡(jiǎn)單,但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的工作。IGB...
2025-06-20 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 235 0
揚(yáng)杰科技MG100HF065TLC1 IGBT模塊:高效能電機(jī)驅(qū)動(dòng)的理想選擇
在現(xiàn)代工業(yè)驅(qū)動(dòng)和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT模塊的性能直接影響系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的MG100HF065TLC1 IGBT模塊以其650V/100...
2025-06-20 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 173 0
揚(yáng)杰電子MG75HF12TLC1 IGBT模塊:大功率應(yīng)用的可靠選擇
在工業(yè)自動(dòng)化和電力電子領(lǐng)域,高效、穩(wěn)定的功率半導(dǎo)體器件是確保設(shè)備性能的關(guān)鍵。揚(yáng)杰電子(Yangjie Electronic)推出的MG75HF12TLC...
揚(yáng)杰電子MG35P12E1A IGBT模塊:高效能電力電子解決方案
在當(dāng)今工業(yè)自動(dòng)化和電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是各類設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心。揚(yáng)杰電子推出的MG35P12E1A IGBT模塊,正是為滿足這一需求...
2025-06-18 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 264 0
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布與GE Vernova公司(美國(guó)馬薩諸塞州劍橋)簽署諒解備忘錄,強(qiáng)化雙方在高壓直流(HVDC)輸電系統(tǒng)用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作。該協(xié)議...
2025-06-13 標(biāo)簽:IGBT三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 390 0
1安培輸出電流的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路光耦合器-ICPL-155E
IGBT的柵極電壓可通過不同的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)產(chǎn)生。這些驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣對(duì)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化...
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