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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管最常見的幾種應(yīng)用電路(開關(guān)、放大、時序、雙向電平)
MOS管最常見的電路可能就是開關(guān)和放大器。
2023-06-06 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路放大電路 1.7萬 0
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管DCM 1.7萬 0
mos管為什么會有寄生二極管 寄生二極管的示意圖/作用參數(shù)/方向判定
mos管會有寄生二極管是因為mos管的源極和漏極之間的電阻會發(fā)生變化,這種變化會導(dǎo)致mos管內(nèi)部的電壓發(fā)生變化,從而產(chǎn)生一個寄生二極管。寄生二極管可以抑...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,它具有高輸入阻抗、低噪聲、低功耗等特點。在實際應(yīng)用中,我們需要對MOS管...
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 1.7萬 0
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
受限于MOS管的驅(qū)動閾值,在許多的應(yīng)用場景中無法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅(qū)動MOS的導(dǎo)通與關(guān)斷,此時需要在MOS的G極處增加一個柵極驅(qū)動電...
在設(shè)計mos管開關(guān)電路時,就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中,有詳細地講解mos管的工作原理。
2023-01-05 標(biāo)簽:開關(guān)電路半導(dǎo)體MOS管 1.7萬 0
開環(huán)比較器基于未補償?shù)姆糯笃?,可以使用單級或者多級結(jié)構(gòu)。根據(jù)輸入信號的大小,開環(huán)放大器工作于小信號狀態(tài)和大信號狀態(tài)(擺率限制),其對應(yīng)的延遲時間計算也是不同。
當(dāng)MOS管電壓上升到A點時,輸出整流管導(dǎo)通,初級勵磁電感箝位于V1. 此時,漏感和雜散電容諧振, 由于變壓器線圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消...
2018-05-02 標(biāo)簽:MOS管數(shù)字示波器 1.6萬 0
上圖是一個限流恒流電路,當(dāng)電流低于閾值時,輸出電流由負載決定,當(dāng)負載加重,輸出電流達到閾值時,輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定
2023-06-18 標(biāo)簽:三極管穩(wěn)壓二極管MOS管 1.6萬 0
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