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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導(dǎo)體...
便攜式設(shè)備的開關(guān)機(jī)電源電路設(shè)計(jì)
便攜式設(shè)備最大的特點(diǎn)是攜帶方便、可以在任何時間、任何場合進(jìn)行使用,可以脫離電源線供電,使用電池,且大多產(chǎn)品支持電池的自行更換,這個電量問題經(jīng)常也是用戶...
2023-04-24 標(biāo)簽:原理圖電路設(shè)計(jì)便攜式設(shè)備 3705 0
NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 2553 0
PCB案例分享,分享幾個以前畫過的pcb,確實(shí)能看到進(jìn)步
分享幾個從本科到研究生期間畫過的PCB,可以看到技術(shù)在逐漸進(jìn)步,但是依然有不足的地方,各位且看個熱鬧。
MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來是非常簡單,但是詳細(xì)分析起來并不簡單。...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS 1068 0
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級,從平面穿通型(PT)到微溝槽場截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
首先這個小夜燈是USB直插的,還帶萬向彎曲的軟管燈桿,三色燈光可調(diào),亮度也可以多檔調(diào)整,即插即用。里面就是一個電路板加一個勻光燈罩。
開關(guān)級建模是比門級建模更為低級抽象層次上的設(shè)計(jì)。在極少數(shù)情況下,設(shè)計(jì)者可能會選擇使用晶體管作為設(shè)計(jì)的底層模塊。隨著電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度及相關(guān)先進(jìn)工具的出現(xiàn),以...
2023-03-30 標(biāo)簽:開關(guān)電路設(shè)計(jì)信號 2028 0
基于FP5207B的音響驅(qū)動電路應(yīng)用設(shè)計(jì)
FP5207B是一款大功率異步升壓恒壓芯片,外置N溝MOS驅(qū)動,與肖特基和電感形成回路組成升壓架構(gòu);
最近在調(diào)ICM20602模塊,一個六軸陀螺儀和加速度計(jì),使用IIC通信協(xié)議,這個過程中遇到一個困擾我很長時間的問題。
MOS晶體管中的漏極/源極和襯底結(jié)在晶體管工作期間被反向偏置。這會導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置的漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴(kuò)...
SOT-23 升壓轉(zhuǎn)換器可在狹小空間內(nèi)提供高功率
LT1935是一款電流模式升壓調(diào)節(jié)器,采用小型5引腳ThinSOT封裝。憑借其小封裝、高開關(guān)頻率(1.2MHz)和內(nèi)部2A、40V電源開關(guān),LT1935...
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