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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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在模擬IC電路設(shè)計(jì)中,會(huì)經(jīng)常使用到電容。芯片內(nèi)部的電容一般使用金屬當(dāng)作上下基板,但是這種金屬電容缺點(diǎn)是消耗面積太大。為了作為替代,在一些對(duì)電容要求不是很...
在前面的文章中,金譽(yù)半導(dǎo)體有講過(guò),功率放大器(簡(jiǎn)稱(chēng):功放)(Power Amplifier)“功率放大器”,顧名思義,是將“功率”放大的放大器。進(jìn)入微弱...
自舉電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)方式
電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。 基于電容儲(chǔ)能的電壓自舉電路通常是利用電容對(duì)電荷的存儲(chǔ)作用來(lái)實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)移,從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。 如圖1...
2023-01-10 標(biāo)簽:MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)MOS 1.0萬(wàn) 0
“電路防反接,你真的會(huì)用了嗎?MOS管用作防反接的接法,理解了嗎?”,做過(guò)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師,都會(huì)在電源部分加入防反接電路,主要目的就是怕電源的GND...
基于BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的自舉升壓電路設(shè)計(jì)
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是...
2023-01-15 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MOS驅(qū)動(dòng)電路 732 0
MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些?
MOSFET的全稱(chēng)為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱(chēng)之為,金屬-氧化層-...
伴隨著CPU, GPU等的性能進(jìn)步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計(jì)也迎來(lái)了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、保護(hù)更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分...
為什么大家都用三極管來(lái)配合單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)負(fù)載
上一篇推文中我們已經(jīng)說(shuō)了,驅(qū)動(dòng)繼電器的時(shí)候,通常我們會(huì)采用三極管來(lái)配合單片機(jī)IO口。至于為什么不直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng),非得加個(gè)三極管,在上一篇推文中我...
基于邏輯門(mén)的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級(jí)電路設(shè)計(jì)
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時(shí)刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當(dāng)上管導(dǎo)通時(shí),下管必...
2022-12-13 標(biāo)簽:電流電路設(shè)計(jì)邏輯門(mén) 2664 0
之前在跟同事羅帥討論驅(qū)動(dòng)器的熱損耗,學(xué)習(xí)了一下,找的一篇TI的文章對(duì)半橋的功耗計(jì)算。
2022-12-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS半橋 1547 0
1腳就是柵極,這個(gè)柵極就是控制極,在柵極加上電壓和不加上電壓來(lái)控制2腳和3腳的相通與不相通,N溝道的,在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了,去掉電壓就關(guān)斷了...
2022-12-02 標(biāo)簽:電路圖場(chǎng)效應(yīng)管MOS 4022 0
MOS晶體管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)與理論知識(shí)
晶體管開(kāi)關(guān)電路(工作在飽和狀態(tài))在現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中很常見(jiàn)。經(jīng)典的74LS、74ALS和其他集成電路內(nèi)部使用晶體管開(kāi)關(guān)電路,但它們只有共同的驅(qū)動(dòng)能力。晶...
2022-11-28 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路晶體管MOS 3757 0
放大器設(shè)計(jì):晶體管BJT的工作原理 MOS和BJT晶體管的區(qū)別
對(duì)于BJT晶體管,電流從一個(gè)基極到另一個(gè)發(fā)射極,決定了從集電極到發(fā)射極能流多少電流。 對(duì)于MOSFET晶體管,電壓柵極和源極之間的電流決定了有多少電流...
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài):開(kāi)通過(guò)程(由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程(由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程)、截止?fàn)顟B(tài)。
本章定性和定量分析MOS的電流IDS與柵源電壓VGS、漏源電壓VDS間的IV特性關(guān)系。NMOS的剖面結(jié)構(gòu)圖以及其電路符合如下圖所示,由柵極(G),漏極(...
RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
瑞森高壓MOS采用新型橫向變摻雜技術(shù),專(zhuān)有功率MOS結(jié)構(gòu),高溫特性?xún)?yōu)良,為開(kāi)關(guān)電源開(kāi)發(fā)提供最佳選擇。
2022-11-10 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS 2228 0
mos雙向電平轉(zhuǎn)換電路_二極管電平轉(zhuǎn)換電路
電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計(jì)中會(huì)經(jīng)常用到,市面上也有專(zhuān)用的電平轉(zhuǎn)換芯片,專(zhuān)用的電平轉(zhuǎn)換芯片主要是其轉(zhuǎn)換速度較快,多使用在速度較高的通訊接口,一般對(duì)速度要求不高...
2022-11-09 標(biāo)簽:二極管MOS電平轉(zhuǎn)換電路 3668 0
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