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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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在汽車環(huán)境中,它們必須能夠以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性級(jí)別,就有必要定義這種強(qiáng)大的功能(多虧了SOA)。
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計(jì)算,柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中,那么模塊將總是能夠在...
開(kāi)關(guān)電源的整流橋并聯(lián),浮地驅(qū)動(dòng)等十條基本電路原理圖分析
在小功率設(shè)計(jì)中,一般很少用到整流橋的并聯(lián),但在某些大功率輸出的情況下,不想增添新的器件單個(gè)整流橋電流又不滿足輸入功率要求,就需要用到整流橋的并聯(lián)了,整流...
2018-09-24 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬(wàn) 0
開(kāi)關(guān)電源MOS開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程!
電流上升到Ip1后,此時(shí)電流的上升斜率(Ip1-Ip2段)相對(duì)0-Ip1這一瞬間是非常緩慢的,我們可以近似把上升到Ip1之后繼續(xù)上升的斜率認(rèn)為是0,把電...
2018-09-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS電源系統(tǒng) 3.6萬(wàn) 0
對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講,我們很多時(shí)候都在波形,看輸入波形,MOS開(kāi)關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我們拿開(kāi)關(guān)GS波形為例...
最近,做了一款小功率的開(kāi)關(guān)電源,在進(jìn)行調(diào)試的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)MOS管發(fā)熱很嚴(yán)重,為了解決MOS管發(fā)熱問(wèn)題,要準(zhǔn)確判斷是否是這些原因造成,最重要的是進(jìn)行正確的測(cè)...
2018-08-20 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源MOS 3.8萬(wàn) 0
學(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管 這篇文章管夠
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。
如何區(qū)分P-MOS和N-MOS?如何區(qū)分MOS的G、D、S管腳?MOS管如何導(dǎo)通?
三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用,但MOS管你用的可能較少。對(duì)于MOS管先拋出幾個(gè)問(wèn)題:
以上MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號(hào)切換(高低電平切換)。再來(lái)看個(gè)MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子吧,MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷的例子:由+1.5V_SUS產(chǎn)生+1.5V電路
LV HV P-Well BCD技術(shù)的芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)的資料概述
LV/HV P-Well BCD技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)低壓 5 V 與高壓 100~700 V(或更高)兼容的 BCD 工藝。為了便于高低壓 MOS 器件兼容集成...
對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說(shuō)來(lái),當(dāng)電場(chǎng)很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...
就是邏輯為高的時(shí)候,MOS管是關(guān)的,低的時(shí)候它為開(kāi),這個(gè)很容易出問(wèn)題。假設(shè)我這個(gè)板子給軟件工程師來(lái)調(diào)試,一上電會(huì)嚇?biāo)廊说摹?/p>
萬(wàn)事開(kāi)頭難,開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)就應(yīng)該這樣一步一步來(lái)
針對(duì)開(kāi)關(guān)電源很多人覺(jué)得很難,其實(shí)不然。設(shè)計(jì)一款開(kāi)關(guān)電源并不難,難就難在做精,等你真正入門了,積累一定的經(jīng)驗(yàn),再采用分立的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)就簡(jiǎn)單多了。萬(wàn)事開(kāi)頭...
2018-01-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源pwmmos 2.2萬(wàn) 0
關(guān)于MOS應(yīng)用設(shè)計(jì),這些要點(diǎn)不可忽視
這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到常用
2017-12-15 標(biāo)簽:mos高功率因數(shù) 1.2萬(wàn) 0
做一個(gè)合格的Layout工程師,這些設(shè)計(jì)要點(diǎn)你都要知道
如今的電源市場(chǎng),拼體積、拼價(jià)格、拼性能,如何做到這3點(diǎn)就需要一個(gè)經(jīng)驗(yàn)豐富的Layout工程師。
2017-12-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源layoutmos 2.6萬(wàn) 0
在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工...
利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
2016-11-10 標(biāo)簽:mos 5762 0
在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中,自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中,MOS常莫名其妙的失效,有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破...
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