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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個電容?居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問題?
Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開關(guān)瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6291,最高輸出5-12V/5-7W,輸入限流可調(diào)
芯片概述FP6291是一個電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。FP6291它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多...
2024-11-09 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 877 0
浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
低壓差線性穩(wěn)壓器AiP73XX系列產(chǎn)品介紹
低壓差線性穩(wěn)壓器,是一種輸入電壓大于輸出電壓的直流交流穩(wěn)壓器,可以分為雙極型和MOS型。雙極型LDO可以承受高輸入電壓,靜態(tài)電流為mA級別,MOS型LD...
FP6277同步內(nèi)置MOS升壓恒壓5V/3A芯片,輸入限流可調(diào)
FP6277是一個具有PWM/PSM控制的電流模式增壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置30mΩ高側(cè)開關(guān)和30mΩ低側(cè)開關(guān)使該調(diào)節(jié)器高高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)...
2024-10-26 標(biāo)簽:芯片直流轉(zhuǎn)換器MOS 873 0
內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127,RGB洗墻燈舞臺燈三路共陽DMX512調(diào)光方案,支持1階啟動,調(diào)光深度0.01%
方案名稱遠(yuǎn)翔DC-DC內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127,內(nèi)置MOS降壓恒流芯片F(xiàn)P7127,RGB洗墻燈舞臺燈三路共陽DMX512調(diào)光方案,支持1階啟...
首發(fā):耐壓85V 內(nèi)置MOS降壓控制器方案FP7132
FP7132是一種高效的降壓控制器。它被設(shè)計(jì)為在連續(xù)電流模式下工作,為高亮度的led供電,寬輸入電壓范圍為6V到85V。FP7132采用了一種滯后控制結(jié)...
? 面向消費(fèi)者的便攜式儲能是儲能市場新的藍(lán)海分支,一方面行業(yè)正處于高速發(fā)展期,另一方面產(chǎn)品具有消費(fèi)品屬性。便攜式儲能又稱“大號充電寶”“戶外電源”,廣泛...
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例
引言:雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動,因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動所破壞,使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動的,因此只需...
Vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...
開關(guān)電源切載時(shí)MOS會有過充怎么辦?快來試試這個方法!
開關(guān)電源切載時(shí)MOS會有過充怎么辦?快來試試這個方法!我本次調(diào)試的樣機(jī)主控IC為思睿達(dá)主推的成都啟臣微的CR6842S,這是一款高度集成的電流控制型PW...
2024-09-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS轉(zhuǎn)化器 1264 0
廣電計(jì)量|功率場效應(yīng)管過壓失效機(jī)理及典型特征分析
失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過電失效,分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...
2024-09-18 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS失效機(jī)理 1505 0
系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC器件開關(guān)的影響分析
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開關(guān)開通時(shí)的過流機(jī)理,以及開通...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們在許多應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 工作原理 IGB...
2024-08-07 標(biāo)簽:MOS半導(dǎo)體材料雙極晶體管 1143 0
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有許多重要特性,如高輸入阻抗、低功耗、易于集成等。MOS的開啟電壓(Vth)是其工作...
2024-08-01 標(biāo)簽:電子設(shè)備MOS半導(dǎo)體器件 5438 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,晶體管是實(shí)現(xiàn)信號放大、開關(guān)控制等功能的關(guān)鍵元件。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,晶體管的尺寸不斷縮小,性能不斷提升。3MOS和4MOS作為兩種...
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,保護(hù)板是一種重要的組件,它能夠保護(hù)電池在過充、過放、過流、短路等情況下不受損害。保護(hù)板通常由一些電子元件組成,如MOSFET...
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