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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用

近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場對數(shù)據(jù)處理以及存儲的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...

2023-12-08 標(biāo)簽：閃存 NAND FlaSh 1158 0

恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間。

2024-08-08 標(biāo)簽：芯片 NAND 恩智浦 1157 0

NAND Flash與SD NAND的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異

NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文...

2025-03-13 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND FlaSh 1148 0

常見的存儲器及其應(yīng)用

LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡稱“低功耗內(nèi)存...

2024-01-02 標(biāo)簽：NAND 存儲器固態(tài)硬盤 1141 0

三星SSD存儲產(chǎn)品報(bào)價(jià)上漲25%，市場面臨新一輪價(jià)格調(diào)整

AI浪潮中數(shù)據(jù)中心建設(shè)如火如荼，相關(guān)存儲設(shè)備需求急速增長——近半個(gè)多月以來，基于NAND閃存的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品開始供不應(yīng)求。

2024-04-02 標(biāo)簽：NAND 服務(wù)器 SSD 1123 0

NAND閃存市場分析閃存控制器行業(yè)玩家分析

2021年至2027年，以百萬計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應(yīng)用增長最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...

2023-11-06 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 1117 0

在沒有Linux操作系統(tǒng)的單片機(jī)中為什么還要用Bootloader？

“Bootloader”俗稱“引導(dǎo)加載程序”。在我們狹義上說的“Bootloader”是特指嵌入式設(shè)備中的引導(dǎo)程序，但是從廣義的角度上來說，PC機(jī)中也存...

2023-08-14 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND 嵌入式系統(tǒng) 1105 0

智能刻蝕帶來突破性的生產(chǎn)力提升

增加電路密度而不必移動(dòng)到新技術(shù)節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢使得垂直擴(kuò)展成為半導(dǎo)體行業(yè)的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力。但它也有一系列挑戰(zhàn)，其中關(guān)鍵的挑戰(zhàn)便是刻蝕能力。

2022-01-24 標(biāo)簽：NAND 晶圓泛林集團(tuán) 1101 0

存儲系統(tǒng)基礎(chǔ)知識全解：存儲協(xié)議及關(guān)鍵技術(shù)

SSD主要由控制單元和存儲單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。

2023-10-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 DRAM NAND 1095 0

3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。

2025-04-08 標(biāo)簽：NAND 制造工藝閃存芯片 1074 0

企業(yè)級存儲盤中的操作特性

本工作發(fā)表于FAST 2022。首次基于一家主要存儲供應(yīng)商的近200萬個(gè)SSD的大量企業(yè)存儲系統(tǒng)，對生產(chǎn)使用中SSD的關(guān)鍵操作特性進(jìn)行了大規(guī)模的現(xiàn)場研究。

2022-12-30 標(biāo)簽：NAND 存儲 SSD 1070 0

NAND閃存類型機(jī)選擇技巧

通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您...

2020-08-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 1067 0

K210使用創(chuàng)世NAND flash完成火災(zāi)檢測

2024-08-10 標(biāo)簽：芯片 NAND FlaSh 1060 0

如何為您的應(yīng)用選擇合適的SSD驅(qū)動(dòng)器？

隨著信息的爆發(fā)式增長，相關(guān)部門在部署信息存儲應(yīng)用時(shí)，越來越多地考慮固態(tài)硬盤(SSD)技術(shù)，這是因?yàn)檫@種技術(shù)具有特別快速的性能。然而，他們可能沒有認(rèn)識到市...

2013-01-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器閃存 NAND 1039 0

聊聊企業(yè)級存儲盤中的操作特性

本工作發(fā)表于FAST 2022。首次基于一家主要存儲供應(yīng)商(NetApp)的近200萬個(gè)SSD的大量企業(yè)存儲系統(tǒng)，對生產(chǎn)使用中SSD的關(guān)鍵操作特性進(jìn)行了...

2023-10-19 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND 存儲 1026 0

深入解析MK米客方德 SD NAND與文件系統(tǒng)

MK米客方德的SD NAND，一款基于NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新存儲解決方案，因其卓越的耐用性和小巧的體積，在市場中贏得了廣泛的認(rèn)可。這款產(chǎn)品遵循SD協(xié)會制...

2024-06-07 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND STM32 1005 0

利用Micron可管理NAND 適用嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用...

2018-04-11 標(biāo)簽：嵌入式 nand Micron 996 0

瀚海微SD NAND存儲功能描述（24）擦除超時(shí)計(jì)算

擦除單元速度類規(guī)范定義了一個(gè)新的管理單元AU(分配單元)。擦除超時(shí)計(jì)算被定義為AU的基礎(chǔ)。SD存儲卡支持塊擦除，但擦除塊需要更多的時(shí)間，這是AU(部分擦...

2024-09-07 標(biāo)簽：NAND 存儲卡 SD 963 0

高容量和高性能閃存

Toggle2NAND 在沒有時(shí)鐘的情況下使用雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR），但它與傳統(tǒng) SDR NAND 中支持的功能和命令兼容。在提供高數(shù)據(jù)傳輸速率的同時(shí)...

2023-05-26 標(biāo)簽：NAND DDR SDR 938 0

瀚海微SD NAND存儲功能描述(15)命令類b

1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫部分塊，則塊長度-默認(rèn)塊長度(在CSD中給出)1...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲 SDIO接口 934 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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3D NAND Flash

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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