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SiC MOSFET

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sic mosfet技術(shù)

SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢

由于第四橋臂的引入，對(duì)比三相三橋臂變換器，負(fù)載相電壓的電平數(shù)從五個(gè)(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(gè)(±Udc,0)，因此自然的，相同電路...

2025-07-14 標(biāo)簽：電流變換器 SiC MOSFET 126 0

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（七）——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用

隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200...

2025-03-24 標(biāo)簽：電源電路設(shè)計(jì)PFC 3089 0

SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢

使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷，或氮化鎵HEMT的...

2025-03-21 標(biāo)簽：電源開關(guān)LLC變換器 SiC MOSFET 400 0

案例探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果

為了驗(yàn)證抑制電路的效果，將抑制電路單獨(dú)安裝在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驅(qū)動(dòng)電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...

2024-01-26 標(biāo)簽：電容器驅(qū)動(dòng)電路電壓浪涌 789 0

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

2023-12-07 標(biāo)簽：SiC MOSFET 814 0

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

2023-12-05 標(biāo)簽：SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 SiC MOSFET 2903 0

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 833 0

特斯拉Model Y Gen-4主驅(qū)逆變器拆解

Model-Y Drive Unit的主要改進(jìn)：不再使用泄放電阻（可能使用電機(jī)繞組對(duì)母線電容放電）；使用本地隔離偏置為柵極驅(qū)動(dòng)器電路供電，以降低...

2023-06-15 標(biāo)簽：變壓器逆變器特斯拉 3408 0

新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究

提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路，設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動(dòng)電路，并提出了- -種結(jié)溫反推方法，提升了結(jié)...

2023-05-23 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 663 0

一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案

通過對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

2023-04-26 標(biāo)簽：pcb 半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2212 0

sic mosfet帖子

麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測試中的應(yīng)用

標(biāo)簽：SiC MOSFET 842 0

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1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-01-03 標(biāo)簽：Nexperia SiC MOSFET 320 0

NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 275 0

NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 245 0

用于直流變換器的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標(biāo)簽：直流變換器驅(qū)動(dòng)電路 SiC MOSFET 432 0

基于SiC MOSFET的精確分析模型立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-03-13 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1538 0

SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載

類別：電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1017 0

sic mosfet資訊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界關(guān)鍵詞：1200V/...

2025-06-24 標(biāo)簽：封裝 BASIC SiC MOSFET 125 0

SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路

SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路碳化硅（SiC）MOSFET因其高耐壓、低損耗等特性，在新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域備受關(guān)注。然而，柵...

2025-05-27 標(biāo)簽：柵極 SiC MOSFET 140 0

SiC MOSFET模塊在英偉達(dá)800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價(jià)值

基本半導(dǎo)體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達(dá)800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價(jià)值隨著AI數(shù)據(jù)中心對(duì)算力需求的爆發(fā)...

2025-05-23 標(biāo)簽：電源系統(tǒng)英偉達(dá)SiC MOSFET 302 0

新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板

新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源...

2025-05-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板碳化硅 556 0

Nexperia推出新款汽車級(jí)SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分...

2025-05-08 標(biāo)簽：Nexperia SiC MOSFET 汽車 321 0

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...

2025-04-30 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅 SiC MOSFET 242 0

SiC功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢

E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(...

2025-05-06 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 PCS 207 0

SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計(jì)和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨...

2025-04-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 電源系統(tǒng) 343 0

廣東佳訊邀您一起探究：SiC MOSFET 替代 IGBT ，這是必然走向嗎？

碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，在電動(dòng)汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳...

2025-01-15 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET 580 0

國產(chǎn)SiC MOSFET，正在崛起

來源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車企的一大賣點(diǎn)。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)?？梢?，SiC這一市場在...

2025-01-09 標(biāo)簽：SiC MOSFET 528 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
LT8705

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