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安森美的Treo平臺(tái)憑借其先進(jìn)的65nm BCD技術(shù),代表了這一領(lǐng)域的重大飛躍,與傳統(tǒng)的模擬和混合信號(hào)解決方案相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。設(shè)計(jì)人員必須平衡幾個(gè)關(guān)鍵因素,包括性能、功耗和尺寸,統(tǒng)稱為 PPA(功耗、性能和面積)指標(biāo)。...
相比于傳統(tǒng)的機(jī)械按鍵,觸摸按鍵更加美觀時(shí)尚,因此應(yīng)用場(chǎng)景非常廣泛。瑞薩基于CTSU2新一代觸摸IP的觸控芯片推出以來,得到了很多客戶的青睞,尤其在白色家電產(chǎn)品上。本文基于RL78系列的G23,G22產(chǎn)品,談一談?dòng)|摸按鍵結(jié)合低功耗功能的具體實(shí)際應(yīng)用。...
隨著全球能源需求不斷上升,我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進(jìn)和新能源行業(yè)的快速發(fā)展,近年來光伏儲(chǔ)能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage Charging)得到了高速發(fā)展,其中100~250kW功率段工商業(yè)光儲(chǔ)預(yù)計(jì)在2030年將達(dá)到8GW,年復(fù)合增長率高達(dá)24.8%,因此具有非常廣泛可觀...
作為深耕斷電保護(hù)(PLP)領(lǐng)域多年、業(yè)內(nèi)首家提供集成PLP功能的PMIC解決方案的供應(yīng)商,Qorvo憑借技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì),可助力客戶消除上述擔(dān)憂。...
“ ?很多小伙伴都想自己開發(fā) KiCad 插件,但不知從何入手。本文由華秋電子的另一位 KiCad 開發(fā)者波波同學(xué)撰寫,分享了如何快速搭建環(huán)境,并開發(fā)一個(gè)簡單的插件。? ” 目標(biāo) ? ? 編寫一個(gè)? K iCad ?9? 的 GUI 插件來顯示? PCB? 對(duì)應(yīng)圖層。通過這個(gè)簡單的示例來 了解 ? ...
引言MQTT(消息隊(duì)列遙測(cè)傳輸)是一種輕量級(jí)消息協(xié)議,專為低帶寬、高延遲和不可靠的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境設(shè)計(jì)。它廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用、消息系統(tǒng)以及實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域。本指南深入探討了MQTT的工作原理,解釋了其關(guān)鍵組件,并演示了如何使用Python實(shí)現(xiàn)MQTT客戶端。MQTT代理MQTT系統(tǒng)的核心是代理,...
測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vpeak和電流變化率,利用公式來計(jì)算雜散電感Lstray;短路法通過測(cè)量IGBT短路開通時(shí)的下降電壓和電流變化率之比,經(jīng)計(jì)算獲取Lstray值;諧振法通過測(cè)量靜態(tài)電路諧振頻率,再使用諧振公式求取Lstr...
回路中各環(huán)節(jié)電感值對(duì)于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值,其降低只能通過器件制造商提高制造和工藝水平來實(shí)現(xiàn)。IGBT 和疊層母排間若采用螺釘連接方式,其電感值也基本固定。因此,減小疊層母排的自身電感是進(jìn)一步減小回路總雜散電感的關(guān)鍵所在。...
研究IGBT器件的開關(guān)及特性對(duì)實(shí)現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義,IGBT DC Link主回路的寄生電感會(huì)影響IGBT的開關(guān)特性。本文研究IGBT 變流器中常用的疊層母排,分析IGBT尖峰電壓產(chǎn)生和抑制的機(jī)理,建立了低寄生電感母排基本模型以進(jìn)行仿真,闡述了換流回路雜散電感的組成和計(jì)算方法,以...
Σ-Δ型ADC是當(dāng)今信號(hào)采集和處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的工具箱中必不可少的基本器件。 今天看海給大家簡單分享下Multisim實(shí)現(xiàn)Σ-Δ型ADC的仿真結(jié)果,下圖是Σ-Δ的基本框圖,輸入的信號(hào)input與反饋信號(hào)Vf做差后的到Vd,Vd被積分器積分得到Vi,Vi經(jīng)過比較器后變成連續(xù)的高低電平(后面接觸發(fā)器,1...
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu),可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的...
在 “掌握 PCB 設(shè)計(jì)中的 EMI 控制” 系列的第二篇文章中,我們將深入探討維持低電磁干擾(EMI)的關(guān)鍵概念之一。...
如圖1,有一條流水線,每生產(chǎn)一個(gè)產(chǎn)品,都會(huì)結(jié)果X0這個(gè)感應(yīng)器。當(dāng)按下按鈕1時(shí),每生產(chǎn)10000個(gè)產(chǎn)品,蜂鳴器拉響;按一下X2按鈕時(shí),生產(chǎn)20000個(gè)產(chǎn)品,蜂鳴器拉響;按一下X3按鈕時(shí),生產(chǎn)30000個(gè)產(chǎn)品,蜂鳴器拉響。...
銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù),其核心在于通過“大馬士革”(Damascene)工藝實(shí)現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原理是:在絕緣層上先蝕刻出溝槽或通孔,然后在溝槽或通孔中沉積銅,并通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除多余的銅,從而形成嵌入式的金屬線。...
R&S D波段寬帶信號(hào)產(chǎn)生與分析方案,是市面上最為緊湊及易用的解決方案,信號(hào)源可直接對(duì)上變頻器進(jìn)行參數(shù)設(shè)定,頻譜與信號(hào)分析儀或示波器也可直接對(duì)下變頻器進(jìn)行參數(shù)設(shè)定,無需復(fù)雜的上位機(jī)。...
在進(jìn)行高速PCB設(shè)計(jì)的過程中,常常會(huì)遇到一個(gè)挑戰(zhàn),那就是高速信號(hào)的時(shí)序匹配問題。為了確保信號(hào)的同步到達(dá),設(shè)計(jì)者需要對(duì)特定的高速信號(hào)組進(jìn)行等長設(shè)計(jì)。手動(dòng)進(jìn)行這樣的操作可能會(huì)非常繁瑣且容易出錯(cuò)。凡億skill工具中包含了一個(gè)非常實(shí)用的功能,即“布線-創(chuàng)建match_group”。通過這個(gè)功能,設(shè)計(jì)者可以...
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長新的單晶薄膜,為提升器件性能發(fā)揮了關(guān)鍵作用。本文將對(duì)外延技術(shù)的定義、分類、原理、常用技術(shù)及其應(yīng)用進(jìn)行探討。...
在i.MX RT060項(xiàng)目(采用QSPI Flash)的實(shí)際應(yīng)用中,有客戶反饋,其在設(shè)計(jì)階段并未預(yù)留DQS信號(hào)引腳,而是將該引腳作為GPIO用于控制關(guān)鍵外設(shè)的開關(guān),這導(dǎo)致程序無法正常運(yùn)行。在此背景下,本文將以MIMXRT060-EVKB開發(fā)板為例,詳細(xì)演示如何在不啟用DQS引腳的情況下,通過修改代碼...
上期講到的“Utilities”模塊中“Data Intelligence”數(shù)據(jù)智能工具。數(shù)據(jù)智能工具可以幫助用戶評(píng)估數(shù)據(jù)集的平衡性,確定各個(gè)數(shù)據(jù)通道/軸的重要性,還可以幫助確定最佳采樣頻率和窗口大小,從而優(yōu)化數(shù)據(jù)集,提高質(zhì)量和分析。本節(jié)將介紹“Utilities”模塊中的“Data Operati...
選擇電源時(shí),僅僅確保額定輸出高于預(yù)期負(fù)載就"萬事大吉"是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。預(yù)期負(fù)載只是其中一部分考量。大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景都存在典型負(fù)載、最大負(fù)載,以及短暫超過兩者的峰值功率。為此,電源需具備在限定時(shí)間內(nèi)承載超過最大額定值的峰值功率能力。電源效率至關(guān)重要,因?yàn)樗芡ㄟ^減少能量損耗和發(fā)熱來降低...