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從點 P2 到點 P3 為求和放大器,精密整流器的輸出通過電阻 R3 饋送到求和放大器。電阻 R3 的值是 R5 的一半,或者你可以說它是 R5/2,這就是我們設(shè)置運算放大器 2 倍增益的方式。...
三極管的電流放大作用與其物理結(jié)構(gòu)有關(guān),三極管內(nèi)部進行的物理過程是十分復(fù)雜的,初學(xué)者暫時不必去深入探討。從應(yīng)用的角度來講,可以把三極管看作是一個電流分配器。...
虛短,虛短是指運放同相輸入端和反相輸入端近似看作短路,但實際并沒有短接,所以稱為“虛短”, “虛短”即運放正負輸入端的電壓(電位)相等。...
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達12億人民幣,投資方主要是士蘭微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和廈門火炬集團。...
半導(dǎo)體器件采用多種封裝。它們可作為引線二極管使用,一些小信號二極管采用含鉛玻璃封裝,而另一些則采用塑料引線封裝。...
許多達林頓陣列也可用,其中多個達林頓晶體管對包含在同一個封裝中。通常,它們包含在 IC 封裝中,因為它們通常用于驅(qū)動顯示器等。這使得達林頓晶體管對非常易于使用,并可集成到新的電子電路設(shè)計中。...
碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC)器件封裝與模塊化是實現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。...
簡單的SC notch filter電路由T型結(jié)構(gòu)的開關(guān)電容組成,當(dāng)fs為高時,CS1采樣VI電壓,CS2保持輸出VG1;當(dāng)fs為低時,CS2采樣V1電壓,CS1保持輸出VG1...
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。要想安全使用MOSFET,就需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET,超過這個范圍就有可能造成損壞。...
對任意的有源一端口網(wǎng)絡(luò),可使用一個等效電壓源來等效。 a、電壓源的電動勢E為外部開路時的端口電壓; b、電壓源的內(nèi)阻R。為網(wǎng)路內(nèi)部電源為0(即電壓源短路,電流源開路)時的等效電阻。...
雖然差分信號兩根信號都是參考地平面的,地平面浮動時,兩根信號同時浮動(理想情況下),兩根信號之間的差值幾乎不變,而接收端是識別兩個信號之間的差值。...
在電壓變換時,我們常常會用到調(diào)壓,其中以 PWM 或模擬調(diào)壓應(yīng)用最廣泛,本文給出一種簡單可行的 FB 點調(diào)壓方式。...
在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等;在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。...
交錯式使用2組開關(guān),因此開關(guān)損耗分散,每個開關(guān)上的負載減輕,使熱設(shè)計更容易。另外,紋波電流更小,有效頻率更高,從而有助于減小濾波器尺寸。這與DC/DC轉(zhuǎn)換器的雙相驅(qū)動原理相同。...
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商,SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力控制技術(shù),除確?;靖邚姸葻Y(jié)鍵合,對應(yīng)導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性的要求外,更能提高 IPM 芯片密度的設(shè)計,并配合未來銅燒結(jié)鍵合的方向,有效幫助 SiC 模塊...
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動回路/電容器 通過SiC門驅(qū)動回路優(yōu)化設(shè)計提升性能和強化保護功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計減少寄生電感...