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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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C4D30120H分立碳化硅肖特基二極管

型號： C4D30120H

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 阻斷電壓 1200V
  • 最大持續(xù)電流 30A
  • 總電容電荷 152nC
  • 功耗 441W
  • 正向電壓 1.5V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯(lián)以滿足各種應用要求，而不用擔心熱失控。 結合降低冷卻要求并改善熱SiC產(chǎn)品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應用中降低整體系統(tǒng)成本。

C4D30120H


特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數(shù)
? 零反向恢復電流/正向恢復
電壓
? 與溫度無關的開關行為
? 增加爬電距離/間隙 + HV-H3TRB 堅固

 

應用
? 電池充電器
? 太陽能和可再生能源電力轉換
? 工業(yè)電源
? PFC 和 DC-DC 中的升壓二極管

 

阻斷電壓:1200V
最大持續(xù)電流：30A
總電容電荷：152nC
功耗：441W
正向電壓：1.5V
二極管dV/dt耐用性：250 V/ns

 

 

相關型號
C6D10065G E3D30065D
C3D10065E E4D02120E
C3D10065A C4D02120E
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