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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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UF3C065080K4S 柵極驅(qū)動 SiC 器件

型號： UF3C065080K4S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 650
  • RDS(on) 80
  • 內(nèi)徑最大值(A) 31
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質(zhì) 是的
  • 包裝類型 TO-247-4L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UF3C065080K4S 

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場上唯一的標(biāo)準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該系列使用 4 端子 TO-247 封裝展示了非?？焖俚拈_關(guān)和任何類似額定值設(shè)備的最佳反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合開關(guān)電感負載，以及任何需要標(biāo)準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 80
內(nèi)徑最大值(A) 31
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-247-4L

 

主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：80 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復(fù)
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護，HBM 2 級

 

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