根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶訂單，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)地位。業(yè)界普遍認(rèn)為，目前三星的2納米制程良率仍不足30%。雖然有內(nèi)部消息稱其初期良率已優(yōu)于以往的制程技術(shù)，但在量產(chǎn)階段，三星能否與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電抗衡仍然是一個(gè)

在電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，精確、可靠且緊湊的電流檢測(cè)是實(shí)現(xiàn)高效控制、系統(tǒng)保護(hù)和能源優(yōu)化的基石。傳統(tǒng)方案(如分流電阻+隔離運(yùn)放)雖然成熟，但在集成度、隔離性能和抗干擾能力上面臨挑戰(zhàn)。LEM公司的集成電流傳感器IC(CurrentSensorICs)，基于創(chuàng)新的霍爾效應(yīng)與差分測(cè)量技術(shù)，為工程師提供了一種革命性的解決方案。什么是集成電流傳感器IC?集成電流傳感器IC是

根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，2025年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到590億美元，較2024年5月的492億美元增長(zhǎng)了19.8%。這一增長(zhǎng)趨勢(shì)不僅反映了半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇，也顯示出行業(yè)需求的持續(xù)上升。SIA總裁兼首席執(zhí)行官JohnNeuffer表示，5月全球半導(dǎo)體銷售表現(xiàn)強(qiáng)勁。不僅高于4月份的銷售總額，也遠(yuǎn)超去年同期的水平。這一銷售增長(zhǎng)的背后，反

當(dāng)今，微控制器(MCU)已成為最核心的計(jì)算技術(shù)之一，其存在是所有嵌入式應(yīng)用的基礎(chǔ)。微控制器提供了無(wú)數(shù)計(jì)算解決方案，有些甚至專為特定應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)，例如電機(jī)控制。電機(jī)控制應(yīng)用通常通過(guò)組合專用電機(jī)控制單元和系統(tǒng)控制單元來(lái)實(shí)現(xiàn)，兩者均采用微控制器及相關(guān)軟件。部分微控制器專為同時(shí)控制多臺(tái)永磁電機(jī)而設(shè)計(jì)，可應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、洗碗機(jī)等設(shè)備。此外，工業(yè)領(lǐng)域的通用變頻器、不

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開(kāi)關(guān)損耗和較慢開(kāi)關(guān)速度會(huì)降低系統(tǒng)效率，尤其在高頻和低負(fù)載工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開(kāi)關(guān)損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴先進(jìn)工藝。混合SiC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG

本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開(kāi)關(guān)損耗方面的作用，以及開(kāi)爾文源極連接結(jié)構(gòu)對(duì)高頻應(yīng)用效率的優(yōu)化效果。同時(shí)分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導(dǎo)通電阻(Rsp)與短路耐受時(shí)間(SCWT)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路。PowerMaster擴(kuò)展了其增強(qiáng)型碳化硅(eSiC)MOSFE

近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電退出GaN市場(chǎng)的原因主要與中國(guó)大陸市場(chǎng)的低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)有關(guān)。近年來(lái)，隨著氮化鎵技術(shù)的成熟和應(yīng)用需求的增長(zhǎng)，許多廠商紛紛進(jìn)入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇。面對(duì)不斷上

觸摸控制器芯片是一種電路，它將輸入信號(hào)(接觸屏幕表面的手指或物體)轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的信號(hào)。該信號(hào)經(jīng)過(guò)控制器軟件算法的計(jì)算和處理，以確定屏幕上的觸摸位置。觸摸屏控制器芯片設(shè)計(jì)有專用的外設(shè)引腳，以便與觸摸傳感器和主機(jī)處理器連接。通常，該電路安裝在柔性印刷電路板(FPC)上，該電路板將傳感器連接到主機(jī)處理器。觸摸芯片的功能是什么?無(wú)論采用何種觸摸技術(shù)(無(wú)論是電阻式還是

紅外熱成像技術(shù)，如同賦予人類“感知溫度”的視覺(jué)，通過(guò)捕捉物體散發(fā)的紅外輻射，將不可見(jiàn)的溫度分布轉(zhuǎn)化為清晰的圖像。這項(xiàng)技術(shù)正深刻地改變著我們觀察和理解世界的方式，從工業(yè)設(shè)備的精密檢測(cè)、安防監(jiān)控的穿透洞察，到智能環(huán)境的高效控制，其應(yīng)用日益深入生活與生產(chǎn)的方方面面。本文將帶您了解紅外熱成像的基礎(chǔ)原理、核心波段特性及其廣泛的應(yīng)用前景，探索這項(xiàng)技術(shù)如何將無(wú)形的熱能轉(zhuǎn)化

近期，ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護(hù)的場(chǎng)合。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)中心面臨著前所未有的計(jì)算需求，促使服務(wù)器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術(shù)和高性能GPU的普及，進(jìn)一步加大了對(duì)提高電源效率的需求。為