資料介紹
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)的中間,N區(qū)夾在兩個(gè)P區(qū)域之間,當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過時(shí),將產(chǎn)生JFET效應(yīng),從而增加通態(tài)電阻;同時(shí),這種結(jié)構(gòu)的寄生電容也較大。
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