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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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2025-05-22 標簽:輸入接口電源開關(guān)FET 253 0
LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊
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TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
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TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
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TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應用而設(shè)計。該系列包括 ...
TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應用而設(shè)計。該系列包括 ...
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
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OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬,場效應晶體管 (FET) 輸入運算放大器與一個快速 SPST COMS 開...
技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車級 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器,具有獨立的使能和電源良好狀態(tài)
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2025-02-21 標簽:升壓轉(zhuǎn)換器場效應晶體管氮化鎵 579 0
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在MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
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