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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

三星宣布業(yè)界首個(gè)3nm級(jí)制造技術(shù)開(kāi)始大量生產(chǎn)

納米線是直徑在納米量級(jí)的納米結(jié)構(gòu)。納米線技術(shù)的基本吸引力之一是它們表現(xiàn)出強(qiáng)大的電學(xué)特性，包括由于其有效的一維結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的高電子遷移率。

2022-04-29 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2918 0

簡(jiǎn)化汽車車身電機(jī)控制器設(shè)計(jì)，快速實(shí)現(xiàn)輕量化

本文中，我們將討論可幫助應(yīng)對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、集成到電機(jī)驅(qū)動(dòng)集成電路中的特定模擬功能。

2020-12-14 標(biāo)簽：德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 1449 0

如何在電動(dòng)汽車系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)SiC FET設(shè)計(jì)

帶雙輸出反激變換器的半橋電路，為隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器供電。在這里，12v軌為隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的主側(cè)和副側(cè)供電。

2021-03-04 標(biāo)簽：隔離電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管反激變換器 2513 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 實(shí)現(xiàn)帶FET的維恩橋振蕩器

反饋振蕩器振蕩器中使用正反饋來(lái)保持運(yùn)行或振蕩。振蕩器基本上是一個(gè)放大器，它具有從輸出返回到輸入的反饋路徑。這允許一部分輸出信號(hào)返回到輸入以保持振蕩。反...

2021-06-14 標(biāo)簽：振蕩器場(chǎng)效應(yīng)晶體管增益放大器 3329 0

淺談金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

通過(guò)將柵極放置在絕緣氧化層上來(lái)控制 MOSFET 溝道區(qū)的導(dǎo)電性。作為跨絕緣介電層電容感應(yīng)的電場(chǎng)的結(jié)果，溝道的電導(dǎo)率由施加到柵極的電壓控制。

2021-06-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6046 0

淺談結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道由 N 型半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體材料組成，柵極由相反的半導(dǎo)體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質(zhì)，其中通過(guò)溝道的電流以電子的形式為負(fù)。...

2021-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7616 0

RF微波功率放大器有哪些半導(dǎo)體材料

雙極結(jié)型晶體管 BJT是三極管，一種具有三個(gè)端子的電子設(shè)備，由具有三種不同摻雜程度的半導(dǎo)體制成。

2021-01-21 標(biāo)簽：功率放大器 EMC 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3927 0

深度解讀提高芯片計(jì)算的密度晶體管堆疊技術(shù)

兩種晶體管一起造——英特爾正在研究的晶體管堆疊技術(shù)將大幅度提高芯片的計(jì)算密度。 ? 目前我們所熟知的臺(tái)積電、三星、英特爾、格芯、中芯國(guó)際等芯片代工廠量產(chǎn)...

2021-01-06 標(biāo)簽：CMOS 英特爾逆變器 5861 0

具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2020-12-20 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 3327 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類說(shuō)明

場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2020-09-18 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 9669 0

兩列典型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用電路

電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過(guò)漏極負(fù)載電阻R2，把電壓加在了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，而負(fù)極性電源通過(guò)柵極偏置電...

2019-10-13 標(biāo)簽：應(yīng)用電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6411 0

雙極性晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)管中，導(dǎo)電過(guò)程是多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)又有少子的漂移運(yùn)動(dòng)。

2019-09-13 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極性晶體管 2.0萬(wàn) 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)

判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管DS2Y-S-DC5V的管腳。用萬(wàn)用表的R×lk擋，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，則...

2019-08-18 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4897 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管六大選擇技巧

隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開(kāi)關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都...

2019-08-18 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5765 0

晶體管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英語(yǔ)名稱為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種通過(guò)對(duì)輸入回路電場(chǎng)效應(yīng)的控制來(lái)控制輸出回路電流的器件。可分...

2018-11-26 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7.9萬(wàn) 0

關(guān)于基于三值文字運(yùn)算的碳納米場(chǎng)效應(yīng)晶體管SRAM的設(shè)計(jì)

隨著CMOS技術(shù)進(jìn)入納米級(jí)工藝，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transi...

2018-06-14 標(biāo)簽：sram 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3452 0

采用隔離拓?fù)?，保障DC/DC控制器的VIN最大額定值

在如今的許多應(yīng)用中，要求的額定輸入電壓超過(guò)許多現(xiàn)有DC/DC控制器的VIN最大額定值。對(duì)此，傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動(dòng)器件。...

2018-03-02 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 DC/DC轉(zhuǎn)換器 LM5085 6182 0

SiC性能在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)超過(guò)GaN

作者：United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶...

2018-02-28 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 SiC GaN 1.1萬(wàn) 1

萬(wàn)用表如何判斷mos管好壞

本文介紹了萬(wàn)用表如何判斷mos管好壞，mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以...

2018-01-12 標(biāo)簽：萬(wàn)用表 mos管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 13.5萬(wàn) 0

新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成，這將改變下一代存儲(chǔ)格局

不過(guò)，就研發(fā)階段而論，F(xiàn)eFET本身并不是一個(gè)新器件。對(duì)于FeFET，其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...

2018-01-10 標(biāo)簽：內(nèi)存場(chǎng)效應(yīng)晶體管鐵電存儲(chǔ)器 2.3萬(wàn) 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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